[发明专利]一种P型单晶硅制绒方法在审
| 申请号： | 202111273077.2 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114232105A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李秋良;陈正飞;徐春 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 方法 | ||
1.一种P型单晶硅制绒方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将水洗过的P型单晶硅片采用制绒混合溶液进行第一次制绒，所述第一次制绒混合溶液按体积比计，以碱：添加剂：水按3.2-4：1：140-160比例配比，控制混合溶液温度80℃±2℃，腐蚀时间230-245秒，初步形成金字塔结构绒面；
(2)将上述硅片进行第二次制绒，第二次制绒混合溶液按体积比计，以碱：添加剂：水按1：1.5-2.0：260-280比例配比，控制混合溶液温度80℃±2℃，腐蚀110-130秒，对一次制绒得到的金字塔进行修饰；
（3）对多晶硅太阳能电池片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的P型单晶硅制绒方法，其特征在于，所述添加剂按质量百分比计，包括2%～3%的氟碳表面活性剂，2%～3%的柠檬酸钠，4%～6%的苯甲酸钠，20%～30%无机盐，余量为水组成。
3.根据权利要求1或2所述的P型单晶硅制绒方法，其特征在于，所述碱为质量浓度为28-32%的NaOH溶液。
4.根据权利要求1所述的P型单晶硅制绒方法，其特征在于，所述第一次制绒的腐蚀量控制为0.24g-0.26g。
5.根据权利要求1所述的P型单晶硅制绒方法，其特征在于，所述第二次制绒的腐蚀量控制为0.04g-0.06g。
6.根据权利要求1所述的P型单晶硅制绒方法，其特征在于，步骤（3）所述的清洗工艺包括：水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、慢提拉和烘干工艺。
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