[发明专利]一种NAND中坏块替换的方法、装置、设备及可读介质

说明书

本发明提供了一种NAND中坏块替换的方法、装置、设备及可读介质，该方法包括：获取系统中的坏块表，并基于坏块表读取新增坏块的位置；基于新增坏块的位置获取新增坏块所在的plane中除去新增坏块的坏块数量；基于获取到的数量查找Early replace pool中对应数量匹配的PhyVB值；基于新增坏块所在的plane中PhyVB值对应的块的情况替换新增坏块。通过使用本发明的方案，能够有效的避免NAND坏块不能用的情况，提高块的利用率，延长NAND的寿命。

技术领域

本发明涉及计算机领域，并且更具体地涉及一种NAND中坏块替换的方法、装置、设备及可读介质。

背景技术

Nand Flash（Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案）由于其物理特性，只有有限的擦写次数，超过擦写次数，基本上就坏了。在使用过程中，有些Nand Flash的block（块）会出现被用坏了的情况，如果发现有块被用坏，要及时将此块标注为坏块且不再使用，然后用一个新的块来替换，于此相关的管理工作，属于Nand Flash的坏块管理的一部分工作。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种NAND中坏块替换的方法、装置、设备及可读介质，通过使用本发明的技术方案，能够有效的避免NAND坏块不能用的情况，提高块的利用率，延长NAND 的寿命。

基于上述目的，本发明的实施例的一个方面提供了一种NAND中坏块替换的方法，包括以下步骤：

获取系统中的坏块表，并基于坏块表读取新增坏块的位置；

基于新增坏块的位置获取新增坏块所在的plane（Plane是非易失性存储器内部的架构，非易失性存储器的控制单元管理的单位）中除去新增坏块的坏块数量；

基于获取到的数量查找Early replace pool（替换池）中对应数量匹配的PhyVB值（Physical VB，物理VB）；

基于新增坏块所在的plane中PhyVB值对应的块的情况替换新增坏块。

根据本发明的一个实施例，基于新增坏块所在的plane中PhyVB值对应的块的情况替换新增坏块包括：

判断新增坏块所在的plane中PhyVB值是否为空；

响应于新增坏块所在的plane中PhyVB值为空，确定新增坏块不存在可替换的块；

将新增坏块的PhyVB值添加到Early replace pool中。

根据本发明的一个实施例，还包括：

响应于新增坏块所在的plane中PhyVB值不为空，判断新增坏块所在的plane中对应PhyVB值的块是否为好块；

响应于新增坏块所在的plane中对应PhyVB值的块为好块，使用好块替换新增坏块。

根据本发明的一个实施例，还包括：

响应于新增坏块所在的plane中对应PhyVB值的块为坏块，确定新增坏块不存在可替换的块；

将新增坏块的PhyVB值添加到Early replace pool中。

本发明的实施例的另一个方面，还提供了一种NAND中坏块替换的装置，装置包括：

读取模块，读取模块配置为获取系统中的坏块表，并基于坏块表读取新增坏块的位置；

获取模块，获取模块配置为基于新增坏块的位置获取新增坏块所在的plane中除去新增坏块的坏块数量；

查找模块，查找模块配置为基于获取到的数量查找Early replace pool中对应数量匹配的PhyVB值；

替换模块，替换模块配置为基于新增坏块所在的plane中PhyVB值对应的块的情况替换新增坏块。

根据本发明的一个实施例，替换模块还配置为：