[发明专利]一种改善AA hole横向mura的方法

说明书

本发明公开了一种改善AA hole横向mura的方法，包括如下步骤：S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二，区域二gamma单独控制；S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差2%，即判定OK，若2%，则返回步骤S2；S5：记录区域一及区域二的gamma寄存器值，记录两者的差值，烧录区域一的寄存器值和区域二的差值，对区域二进行offset补偿。本发明标记区域二位置，分开调试区域一和二的gamma，达到区域二和区域一亮度一致的效果，有效解决AA hole横向mura，并节省存储空间。

技术领域

本发明属于AA hole面板技术领域，具体涉及一种改善AA hole横向mura的方法。

背景技术

目前屏下挖孔处于主流阶段，但是在AA hole区（如图1中的②所示）存在明显mura问题，一般存在比正常显示区（如图1中的①所示）偏暗的问题。目前市面上主流的AA hole面板，由于在AA hole的区域需要绕线，RC loading相较于正常显示区域大一些，data的充电较慢，如图2-3所示，像素充电较慢，在TFT关闭前无法达到预定的data准位，则挖孔区对应的横向区域二会出现偏暗mura现象。为此，我们提出一种改善AA hole横向mura的方法，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善AA hole横向mura的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

目前屏下挖孔处于主流阶段，但是在AA hole区（如图1中的②所示）存在明显mura问题，一般存在比正常显示区（如图1中的①所示）偏暗的问题。

目前市面上主流的AA hole面板，由于在AA hole的区域需要绕线，RC loading相较于正常显示区域大一些，data的充电较慢，如图2-3所示，像素充电较慢，在TFT关闭前无法达到预定的data准位，则挖孔区对应的横向区域二会出现偏暗mura现象。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善AA hole横向mura的方法，包括如下步骤：

S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二，区域二gamma单独控制；

S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；

S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；

S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差2%（通过实验测试2%人眼不易察觉亮度差），即判定OK，若2%，则返回步骤S2；

S5：记录区域一及区域二的gamma寄存器值，记录两者的差值，烧录区域一的寄存器值和区域二的差值，对区域二进行offset补偿。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种改善AA hole横向mura的方法，本发明标记区域二位置，分开调试区域一和二的gamma，达到区域二和区域一亮度一致的效果，解决因AA hole处区域RC loading较大造成的横向区域偏暗mura问题，有效解决AA hole横向mura，并节省存储空间。

附图说明

图1为AA hole示意图；

图2为Pixel电路简图；

图3为图2对应pixel充电波形图；

图4为本发明一种改善AA hole横向mura的方法的流程示意图。

具体实施方式