[发明专利]射频传输器及天线

权利要求书

1.一种射频传输器，包括：介质基板，设置在所述介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；

所述第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；

所述第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；

其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

2.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构同层设置；

所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠；

所述第一传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影，与所述第二传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧。

4.根据权利要求3所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极包括第一主体部、与所述第一主体部相连且向靠近所述第二传输电极的方向延伸的第一耦合部；所述第二传输电极包括第二主体部、与所述第二主体部相连且向靠近所述第一传输电极的方向延伸的的第二耦合部；

其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

5.根据权利要求4所述的射频传输器，其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部均采用叉指电极，且所述第一耦合部的多个叉指和所述第二耦合部的多个叉指交替且间隔设置。

6.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，还包括：第三参考电极，设置在所述介质基板背离所述第一传输结构和所述第二传输结构的一侧；

所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述介质基板上的正投影，位于所述第三参考电极在所述介质基板上的正投影内。

7.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构设置在所述介质基板的两相对侧；其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为通过介质基板将二者中的一者所加载的射频信号传输给另一者。

8.根据权利要求7所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影至少部分重叠。

9.根据权利要求1-8任一所述的射频传输器，其中，所述射频传输器包括耦合区域，所述耦合区域为所述第一传输电极和所述第二传输电极产生耦合效应的区域；

所述射频传输器还包括：直流泄放结构，所述直流泄放结构包括断开的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构与所述第一参考电极连接，所述第二子结构与所述第二参考电极连接；

其中，所述第一子结构和所述第二子结构的至少部分设置在所述耦合区域。

10.根据权利要求9所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构、所述直流泄放结构同层设置；

所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧；

所述第一子结构和所述第二子结构设置在所述第一传输电极和所述第二传输电极之间，且所述第一子结构和所述第二子结构在所述介质基板上的正投影，与所述第一传输电极和所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠。

11.根据权利要求1-8任一所述的射频传输器，其中，所述第一参考电极为缺陷地结构，和/或，所述第二参考电极为缺陷地结构。