[发明专利]一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法在审
申请号: | 202111214977.X | 申请日: | 2021-10-19 |
公开(公告)号: | CN113754205A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 赵选英;董颖;杨峰;张永栋;戴建军 | 申请(专利权)人: | 江苏南大华兴环保科技股份公司 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14;C02F1/52;C02F3/30 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈彦朝 |
地址: | 224000 江苏省盐城市亭湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 短程 硝化 电子 行业 废水处理 方法 | ||
本发明公开了一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,包括以下步骤:S1、将待处理蚀刻液废水输送至钙盐沉淀池进行除氟预处理;S2、将除氟预处理后的废水以及综合废水输送至生化调节池,调节pH为7‑8;S3、调节pH后的废水输送至短程硝化池进行短程硝化反应,功能性菌群为氨氧化菌,将氨氮氧化为亚硝态氮,短程硝化池内悬挂生物填料,pH为7‑8;S4、经步骤S3处理后的废水输送至反硝化池,维持C/N比在3‑4;S5、经步骤S4处理后的废水输送至好氧硝化池,进行进一步碳氧化反应和硝化反应,好氧硝化池废水回流至反硝化池,回流比为1~4:1。本发明能够大大降低高氟高氨氮废水出水时氟化物和氨氮的浓度,实现高氟高氨氮废水深度除氟、脱氮的目的。
技术领域
本发明属于废水生物处理技术领域,特别是涉及一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法。
背景技术
近几年,我国电子工业得到快速发展,其中蚀刻工艺为印刷线路板、玻璃镜片等生产过程中的关键步骤之一,玻璃化学蚀刻工艺中主要包括光面蚀刻和毛面蚀刻,其中光面蚀刻主要是利用氢氟酸与玻璃表面进行反应,形成可溶性盐类;而毛面蚀刻则需要加入氟化铵(NH4F),在与玻璃和氢氟酸的反应中生成硅氟化铵微晶。由于玻璃蚀刻技术会大量使用氢氟酸和氟化铵(NH4F),造成蚀刻废水中含有高浓度的氟化物和超高浓度的氨氮,增加了废水处理的难度。针对该类废水,现有的处理方法通常采用化学沉淀法,吹脱汽提等,使得污水厂废水处理成本耗费高,出水达标难,容易产生二次污染。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,能够大大降低高氟高氨氮废水出水时氟化物和氨氮的浓度,实现高氟高氨氮废水深度除氟、脱氮的目的。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,包括以下步骤:
S1、将待处理蚀刻液废水输送至钙盐沉淀池进行除氟预处理;
S2、将除氟预处理后的废水以及综合废水输送至生化调节池,调节pH为7-8;
S3、调节pH后的废水流至短程硝化池进行短程硝化反应,功能性菌群为氨氧化菌,氨氮被氧化成亚硝氮,短程硝化池内悬挂生物填料,池内补充碳酸氢钠维持系统碱度70mg/L,pH为7-8;
S4、经步骤S3处理后的废水输送至反硝化池,反硝化池补加碳源,维持C/N比为3-4;
S5、经步骤S4处理后的废水输送至好氧硝化池,进行进一步碳氧化反应和硝化反应,好氧硝化池废水回流至反硝化池,回流比为1~4:1;
S6、处理后的废水输送至沉淀池沉淀分离,上清液排入标准排放口,下部污泥委外处置。
进一步地说,所述沉淀池中的污泥可通过回流管回流至短程硝化池。
进一步地说,所述好氧硝化池中的废水可通过回流管回流至所述反硝化池。
进一步地说,所述步骤S1中的除氟预处理为:首先在钙盐沉淀池内添加石灰乳调节pH为9-10,再添加钙盐溶液并沉淀1-2h,钙盐溶液和氟离子的投放比例为1.5:1。
进一步地说,所述钙盐溶液为氧化钙溶液、碳酸钙溶液和氯化钙溶液中的至少一种。
进一步地说,在生化调节池内投入絮凝剂进行絮凝沉淀。
进一步地说,所述综合废水为厂区生活污水和未含氟生产废水。
进一步地说,所述反硝化池内的有机碳源为易降解废水。
本发明的有益效果至少具有以下几点:
1、本发明采用化学沉淀法进行除氟预处理,即向高氟废水中投加钙盐,使钙盐与氟离子形成氟化钙沉淀并固液分离以达到除氟效果;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏南大华兴环保科技股份公司,未经江苏南大华兴环保科技股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111214977.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。