[发明专利]基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法在审
| 申请号： | 202111201537.0 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113936874A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 高宇;赵慧存;李敬;王欢;苑晓晨;韩涛;朱新山 | 申请（专利权）人： | 天津大学;国网天津市电力公司 |
| 主分类号： | H01B19/04 | 分类号： | H01B19/04;G06F30/20 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 霍慧慧 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电极 局部 gil 绝缘子 表面 电荷 抑制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法，其特征在于：所述方法的步骤为：
S1、根据绝缘子的形状建立对应的仿真模型，并通过仿真模拟选定适合的涂层电导率S、涂层涂覆高度h及涂层涂覆厚度d；
S2、步骤S1仿真计算的电导率S范围为2×10-16S/m～2×10-14S/m，结合电导率数值，调整涂层中纳米氧化铝含量，获得电导率满足条件的涂层涂料；
S3、根据S1、S2确定的涂层涂料，进行涂层涂料配制，并按照适合的涂覆厚度d和高度h将涂层涂料均匀涂刷在地电极内侧。
2.根据权利要求1所述基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法，其特征在于：所述涂覆厚度d的数值范围为0.1mm～0.7mm。
3.根据权利要求1所述基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法，其特征在于：所述涂覆高度h与绝缘子最高点齐平。
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