[发明专利]用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料及陶瓷电容器有效
| 申请号: | 202111199589.9 | 申请日: | 2021-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN113831125B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
| 发明(设计)人: | 包艺拯;王根水;闫世光;陈学锋;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/493;H01G4/12 |
| 代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 朱俊跃;钟宗 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 高压 高容型 陶瓷 电容器 陶瓷材料 | ||
1.一种用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料的结构为ABO3型钙钛矿结构,所述陶瓷材料的组成包括A位元素、B位元素和O,其中,rA为A位元素的平均离子半径,rB为B位元素的平均离子半径,rO为O的离子半径,,且0.958<t<0.972;所述B位元素中含有四价元素,所述四价元素包括Ti,其中Ti在四价元素中的占比不超过所有B位四价元素总和的20%;所述陶瓷材料的化学式为:
(Pba(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho)b(Ca,Sr,Ba)c(Na,Li,K)d)((Al,In,Ga,Sc,Y,Sb,Tm,Yb,Lu)e(Hf,Zr,Sn,Ti,Si)f(Nb,Ta)g)O3,其中:
(a+b×1.5+c+d×0.5-1)2≤0.04;
(e×0.75+f+g×1.25 -1)2≤0.01;
0b<0.10;
0c<0.05;
0d<0.10;
0.01<e<0.15;
0.01<g<0.15。
2.根据权利要求1所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在0-12 V um-1 内应满足最小相对电容率不低于1000,最大相对电容率不低于2000。
3.根据权利要求1所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在最大相对电容率的电场处至少包括一次开启和关断的工作次数不少于106次。
4.一种陶瓷电容器,其特征在于,包括根据权利要求1-3任一项所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料。
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