[发明专利]用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料及陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 202111199589.9 申请日: 2021-10-14
公开(公告)号: CN113831125B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 包艺拯;王根水;闫世光;陈学锋;董显林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/493;H01G4/12
代理公司: 上海隆天律师事务所 31282 代理人: 朱俊跃;钟宗
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 高压 高容型 陶瓷 电容器 陶瓷材料
【权利要求书】:

1.一种用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料的结构为ABO3型钙钛矿结构,所述陶瓷材料的组成包括A位元素、B位元素和O,其中,rA为A位元素的平均离子半径,rB为B位元素的平均离子半径,rO为O的离子半径,,且0.958<t<0.972;所述B位元素中含有四价元素,所述四价元素包括Ti,其中Ti在四价元素中的占比不超过所有B位四价元素总和的20%;所述陶瓷材料的化学式为:

(Pba(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho)b(Ca,Sr,Ba)c(Na,Li,K)d)((Al,In,Ga,Sc,Y,Sb,Tm,Yb,Lu)e(Hf,Zr,Sn,Ti,Si)f(Nb,Ta)g)O3,其中:

(a+b×1.5+c+d×0.5-1)2≤0.04;

(e×0.75+f+g×1.25 -1)2≤0.01;

0b<0.10;

0c<0.05;

0d<0.10;

0.01<e<0.15;

0.01<g<0.15。

2.根据权利要求1所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在0-12 V um-1 内应满足最小相对电容率不低于1000,最大相对电容率不低于2000。

3.根据权利要求1所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在最大相对电容率的电场处至少包括一次开启和关断的工作次数不少于106次。

4.一种陶瓷电容器,其特征在于,包括根据权利要求1-3任一项所述的用于高压高容型陶瓷电容器的陶瓷材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111199589.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top