[发明专利]一种光刻胶在ArF干法光刻中的应用在审
| 申请号: | 202111189001.1 | 申请日: | 2021-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN115963694A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
| 发明(设计)人: | 王溯;方书农;徐森 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C08F220/18;C08F222/20;C08F232/08 |
| 代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 马续红;陈卓 |
| 地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光刻 arf 中的 应用 | ||
1.一种光刻胶组合物在ArF干法光刻中的应用;
所述的光刻胶组合物由下述原料制得,所述的原料包括如下以重量份数计的组分:75-95份的树脂、1.0-10份的光产酸剂、1000-2000份的溶剂、0.5-3.0份的淬灭剂和表面活性剂;
所述的树脂由如下以重量份数计的单体聚合得到:40-50份的单体A、0.5-5份的单体B、0.25-2.5份的单体C和0.25-2.5份的单体D;
其中,R1为C1-10的烷基;
R2为H或C1-10的烷基;
R3为C1-10的烷基;
R4为C2-4的烯基;
R5和R6独立地为H或C1-5的烷基。
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述的树脂满足如下一个或多个条件:
(1)R1中,所述的C1-10的烷基为C1-5的烷基,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基,例如甲基;
(2)R2中,所述的C1-10的烷基为C1-5的烷基,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基,例如甲基;
(3)R3中,所述的C1-10的烷基为C1-5的烷基,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基,例如甲基;
(4)R4中,所述的C2-4的烯基为C2-3的烯基,优选为乙烯基或异丙烯基,例如异丙烯基;
(5)R5中,所述的C1-5的烷基,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基,例如甲基。
3.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述的树脂满足如下一个或多个条件:
(1)所述的单体A为
(2)所述的单体C为
(3)所述的单体D为
(4)所述的单体A的份数为42.5-45;
(5)所述的单体B的份数为2.5-5份,例如3份;
(6)所述的单体C的份数为0.5-1.25份,例如0.75;
(7)所述的单体D的份数为0.5-1.25份,例如0.75或1.0;
(8)所述树脂的重均分子量为5000-10000,例如5544-9568;
(9)所述的树脂的分子量分布系数为1.0-2.0,例如1.5-2.0。
4.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述的单体A为份数为42.5-45份;
所述的单体B的份数为2.5-5份;
所述的单体C为份数为0.5-1.25份;
所述的单体D为份数为0.5-1.25份。
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