[发明专利]一种自适应检测死区时长的检测方法及电路

说明书

本申请涉及一种自适应检测死区时长的检测方法及电路，属于死区检测的领域，检测方法包括实时检测hb电位，并且在下开关管Q2处于关断的状态下，判断hb电位是否大于预设的第一电位阈值，若是，则控制上开关管Q1导通；而后记录下开关管Q2关断至上开关管Q1导通的时长，以获得第一死区时长；然后在上开关管Q1处于关断的状态下，判断hb电位是否小于预设的第二电位阈值，若是，则控制下开关管Q2导通；而后记录上开关管Q1关断至下开关管Q2导通的时长，以获得第二死区时长。本申请具有自适应检测死区时长的效果。

技术领域

本申请涉及死区检测的领域，尤其是涉及一种自适应检测死区时长的检测方法及电路。

背景技术

参照图1，相关技术中，电力电源、通讯电源、服务器电源、大功率开关电源等的功率变换部分都是由可控半导体开关管组成的半桥或两个半桥组成的全桥，甚至三个半桥组成的三相桥。由于每个半桥的上开关管Q1和下开关管Q2是不能同时导通的，但是高速的PWM驱动信号在达到开关管的控制极的时刻，往往会由于各种各样的原因产生延迟的效果，导致某个半桥的开关管在应该关断时没有关断，造成开关管烧毁。

因此为了避免桥式电路的上开关管Q1和下开关管Q2同时导通导致电路短路，通常会在上开关管Q1和下开关管Q2的驱动信号之间加入固定的死区，即在上开关管Q1关断后，延迟一段时间再导通下开关管Q2；或在下开关管Q2关断后，延迟一段时间再导通上开关管Q1。由于死区时间内，上开关管Q1和下开关管Q2都是关断的不会有输出，因此必然会造成变换器传递能量的时间减少，能量传输效率变低。

针对上述中的相关技术，发明人认为存在以下缺陷：由于电路中寄生参数的离散性，为确保软开关工作余量，通常需要人为将死区时长延长；但是由于批量生产电源产品时，由于元器件本身型号规格的不同，因此需要人为不断调节元器件的参数，以找到合适的死区时长；但是由于元器件参数较多，因此检测死区时长比较困难。

发明内容

为了自适应检测死区时长，本申请提供一种自适应检测死区时长的检测方法及电路。

第一方面，本申请提供的一种自适应检测死区时长的检测方法，涉及如下技术方案：

一种自适应检测死区时长的检测方法，包括：

实时检测hb电位；其中，所述hb电位为上开关管Q1的输出极和下开关管Q2的输入极之间的电位；

在下开关管Q2处于关断的状态下，判断所述hb电位是否大于预设的第一电位阈值，若是，则控制上开关管Q1导通；

记录下开关管Q2关断至上开关管Q1导通的时长，获得第一死区时长；

在上开关管Q1处于关断的状态下，判断所述hb电位是否小于预设的第二电位阈值，若是，则控制下开关管Q2导通；其中，所述第二电位阈值小于所述第一电位阈值；

记录上开关管Q1关断至下开关管Q2导通的时长，获得第二死区时长。

通过采用上述技术方案，在下开关管Q2关断后，电路进入死区，hb电位开始逐渐升高，当hb电位大于第一电位阈值时，说明死区刚好结束，因此此时控制上开关管Q1导通，此时记录下第一死区时长；同理，在上开关管Q1关断后，电路进入死区，hb电位开始逐渐降低，当hb电位小于第二电位阈值时，说明死区刚好结束，因此此时控制下开关管Q2导通，此时记录下第二死区时长；

由于通过实时检测hb电位的变化，并将hb电位与电位阈值进行比较，从而达到控制上开关管Q1或下开关管Q2的导通，因此忽略了元器件参数对死区时长的影响，从而无需人为调节元器件的参数，因此实现了自适应检测死区时长的效果。

可选的，所述所述控制上开关管Q1导通的步骤，具体包括：

基于所述hb电位大于所述第一电位阈值，输出第一电平；