[发明专利]一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦

权利要求书

1.一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，包括：底座(1)、光敏集成板(2)、可变比光束分离器(3)、盖板(4)以及封装管壳(5)；光敏集成板(2)设置在底座(1)上；可变比光束分离器(3)设置在光敏集成板(2)上，且可变比光束分离器(3)的信号输出端与可变比光束分离器(3)的输入端对应；盖板(4)设置在光敏集成板(2)上，且盖板(4)与光敏集成板(2)形成电学导通；所述封装管壳(5)用于对底座(1)、光敏集成板(2)、可变比光束分离器(3)以及盖板(4)进行气密性封装；光束分离器(3)包括支架(31)、左光纤(34)以及右光纤(35)；支架(31)为门型结构，左光纤(34)和右光纤(35)分别设置在支架(31)的内部；其中支架(31)内部的光纤直径的可以调整，从而形成不同传输增益的线性光耦。

2.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，底座(1)为长方体结构，在该底座的中心设置有凹槽，该凹槽用于固定光敏集成板(2)和盖板(4)。

3.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光敏集成板(2)包括：底板(21)、左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)、右金导带(25)、左光电探测器芯片(26)、右光电探测器芯片(27)、第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)；左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)、右金导带(25)、第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)设置在底板(21)上，且第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)上表面镀有金属层；左光电探测器芯片(26)设置在左金焊盘(22)上，并通过导线与左金导带(24)导通；右光电探测器芯片(27)设置在右金焊盘(23)上，并通过导线与右金导带(25)导通；左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)以及右金导带(25)分别与封装外壳对应金属外引脚连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光敏集成板(2)还包括第三陶瓷台阶(281)和第四陶瓷台阶(291)；第三陶瓷台阶(281)固定在第一陶瓷台阶(28)的侧面，第四陶瓷台阶(291)固定在第二陶瓷台阶(29)的侧面。

5.根据权利要求4所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，第三陶瓷台阶(281)和第四陶瓷台阶(291)的上表面均设置有固定槽，固定槽表面镀有金属层。

6.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光束分离器(3)还包括左支撑架(32)和右支撑架(33)；左支撑架(32)固定在支架(31)的左侧，右支撑架(33)固定在支架(31)的右侧。

7.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，盖板(4)包括：固定板(41)、短金导带(42)、长金导带(43)以及LED发光二极管芯片(44)；短金导带(42)和长金导带(43)设置在固定板(41)的上，且短金导带(42)和长金导带(43)之间不导通；LED发光二极管芯片(44)设置在长金导带(43)上，并通过导线与短金导带(42)连接。

8.根据权利要求7所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，盖板(4)放置在光敏集成板(2)上，且盖板(4)上的短金导带(42)与第一陶瓷台阶(28)上的金属层导通，盖板(4)上的长金导带(43)与第二陶瓷台阶(29)的金属层导通，盖板(4)上的LED发光二极管芯片(44)对应于光束分离器(3)的光纤输入口。

9.根据权利要求7所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，LED发光二极管芯片(44)为AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管。