[发明专利]扬声器装配方法及系统有效
申请号: | 202111166659.0 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN113923565B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 刘金华 | 申请(专利权)人: | 荣耀终端有限公司 |
主分类号: | H04R9/02 | 分类号: | H04R9/02;H04R9/04;H04R9/06;H04R29/00;H04R31/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;刘芳 |
地址: | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扬声器 装配 方法 系统 | ||
1.一种扬声器装配方法,其特征在于,包括:
检测振膜组件的高度公差;
根据所述振膜组件的高度公差选择相对应的磁路组件,其中,所述相对应的磁路组件的高度公差和所述振膜组件的高度公差相互匹配;
将所述磁路组件装配于所述振膜组件上,以形成扬声器;
所述检测振膜组件的高度公差,具体包括:检测所述振膜组件中振膜的底端与盆架的底端之间的第一高度差;
根据所述第一高度差和第一预设高度差获得所述振膜组件的高度公差,其中,所述第一预设高度差为所述振膜组件中振膜的底端与盆架的底端之间的预设高度差;
所述根据所述振膜组件的高度公差选择相对应的磁路组件之前,还包括:检测所述磁路组件的高度公差;
所述检测所述磁路组件的高度公差,具体包括,
检测所述磁路组件中的边华司底端和中心华司顶端之间的第二高度差;
根据所述第二高度差和第二预设高度差获得所述磁路组件的高度公差,其中,所述第二预设高度差为所述边华司底端和中心华司顶端之间的预设高度差。
2.根据权利要求1所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述边华司底端与边磁铁顶端通过装配贴合连接,所述检测所述磁路组件中的边华司底端和中心华司顶端之间的第二高度差,包括:
检测所述边磁铁顶端与所述中心华司顶端在扬声器高度方向上的高度差。
3.根据权利要求1或2所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述根据所述振膜组件的高度公差选择相对应的磁路组件之前,还包括:
将所有所述振膜组件的高度公差的范围划分为多个不同的振膜组件公差范围等级;
将所有所述磁路组件的高度公差的范围划分为多个不同的磁路组件公差范围等级。
4.根据权利要求3所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述振膜组件公差范围等级和所述磁路组件公差范围等级一一对应匹配。
5.根据权利要求4所述的扬声器装配方法,其特征在于,一一匹配的振膜组件公差范围等级和磁路组件公差范围等级之间,具有数值相同或相近、且公差方向相反的上限值,以及数值相同或相近、且公差方向相反的下限值,所述公差方向包括正公差和负公差。
6.根据权利要求5所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述振膜组件公差范围等级的上下限差值和所述磁路组件公差范围等级的上下限差值均大于或等于0.01mm,且小于或等于0.03mm。
7.根据权利要求1、2、4、5、6中任一项所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述根据所述振膜组件的高度公差选择相对应的磁路组件,具体包括:
获得所述振膜组件的高度公差在所述多个振膜组件公差范围等级中所处的第一公差范围等级;
根据所述第一公差范围等级选择相对应的磁路组件,其中,所述相对应的磁路组件的高度公差处于多个磁路组件公差范围等级中的第二公差范围等级内,且所述第二公差范围等级和所述第一公差范围等级相互对应。
8.根据权利要求1、2、4、5、6中任一项所述的扬声器装配方法,其特征在于,所述相对应的磁路组件的高度公差和所述振膜组件的高度公差相互匹配,包括:
所述磁路组件的高度公差与所述振膜组件的高度公差具有相同或相近的数值,且所述磁路组件的高度公差与所述振膜组件的高度公差均为正公差;或者,
所述磁路组件的高度公差与所述振膜组件的高度公差具有相同或相近的数值,且所述磁路组件的高度公差与所述振膜组件的高度公差均为负公差。
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