[发明专利]一种立式异形磁屏蔽筒在审

专利信息
申请号: 202111165527.6 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113795134A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 崔利亚;孙永红;潘可 申请(专利权)人: 北京零磁科技有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 谢宜初
地址: 100000 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 立式 异形 屏蔽
【说明书】:

发明公开一种立式异形磁屏蔽筒,包括:磁屏蔽筒、磁屏蔽门以及移动支撑架,所述磁屏蔽筒侧壁上开有门洞,所述磁屏蔽门与所述门洞匹配;所述磁屏蔽筒竖直安装于所述移动支撑架上;通过提前制作成成品,移动到现场直接使用无需到现场安装,提高效率,并且在使用过程中能够随时移动位置,提高使用灵活性。并且设置成整体结构,无需现场拼装焊接,避免因受外力和变形损失坡莫合金的磁导率,从而实现提高整个屏蔽筒的屏蔽性能的目的;磁屏蔽筒在整体结构的情况下无缝隙,从而实现不漏磁的目的。

技术领域

本发明属于磁屏蔽技术领域,具体涉及一种立式异形磁屏蔽筒。

背景技术

现代工业技术快速发展,各式各样的电子产品应运而生,数字化及高低频电子设备在工作时也会向空间辐射大量不同波长的电磁波,电磁辐射污染已成为高精度弱磁场测量的主要障碍。磁屏蔽主要应用原子时频系统、磁传感器标定、惯性陀螺、光纤陀螺、激光陀螺及精密仪器仪表等方面。磁屏蔽装置的作用是将地磁场及环境杂散磁场屏蔽在磁屏蔽装置的外面,提供一个零磁场空间,以保证内部的仪器不受外部磁场的干扰。

在实际工程中,对不同频率段电磁场屏蔽所采用材料及措施是不同的。低频电磁场屏蔽是比较难解决的,一般主要采用高导磁率材料进行磁屏蔽。当外场强度较高时,为防止材料磁化饱和时磁导率下降,在结构设计中,可增加材料的厚度,或采用多层屏蔽,并需同时考虑对电场的屏蔽。静磁场屏蔽材料一般使用高导磁率合金,结构设计与加工工艺对磁屏蔽的效果影响很大。因此,在磁屏蔽装置制作中,需要根据外场源的强度和屏蔽要求进行合理选材。材料选定后,最佳的结构设计与合理的加工工艺是达到高屏蔽效能的关键。当屏蔽腔体的体积与材料确定后,材料的厚度越大,磁屏蔽系数越高,在实际工程中不可能无限制地增加材料的厚度。当屏蔽系数要求较高时,有效的方法是采取多层屏蔽结构,并需对屏蔽层间隙进行优化设计。

现有的磁屏蔽室主要是立方体结构,磁屏蔽材料大多采用钢板和硅钢片,只有少数使用高导磁坡莫合金,采用钢板和硅钢片的磁屏蔽室屏蔽效果远不如高导磁坡莫合金。

现有的磁屏蔽室尺寸均比较庞大,质量也很大,需要现场施工搭建,搭建后无法改变使用位置,而且费用也相当高。

且现有的采用高导磁坡莫合金的磁屏蔽室是采取将热处理后的坡莫合金板材贴覆在无磁骨架上,由于坡莫合金热处理后磁导率会由于受外部应力、机械变形及焊接等因素影响而下降,所以每块坡莫合金热处理后不能现场进行焊接,每块坡莫合金使用粘接剂贴在骨架上,在坡莫合金块连接处会有或大或小的缝隙,从而导致缝隙处漏磁。同时施工组装过程中也会因为受外力和变形损失磁导率,这些因素都会导致整个屏蔽室的屏蔽性能下降。

现在国外用于测量人体心磁场与脑磁场的磁屏蔽室,内尺寸为长1.3m×宽1.3m×高2m,由于受热处理炉的容积的限制,建造工艺也是采取上述粘贴工艺,因此也会带来上述出现的问题。

发明内容

为此,本发明提供一种立式异形磁屏蔽筒,以解决现有技术中磁屏蔽室尺寸均比较庞大,质量也很大,需要现场施工搭建,搭建后无法改变使用位置,而且费用也相当高,以及,现有的采用高导磁坡莫合金的磁屏蔽室是采取将热处理后的坡莫合金板材贴覆在无磁骨架上,由于坡莫合金热处理后磁导率会由于受外部应力、机械变形及焊接等因素影响而下降,所以每块坡莫合金热处理后不能现场进行焊接,每块坡莫合金使用粘接剂贴在骨架上,在坡莫合金块连接处会有或大或小的缝隙,从而导致缝隙处漏磁。同时施工组装过程中也会因为受外力和变形损失磁导率,这些因素都会导致整个屏蔽室的屏蔽性能下降的问题。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种立式异形磁屏蔽筒,包括:

磁屏蔽筒,所述磁屏蔽筒侧壁上开有门洞。

磁屏蔽门,所述磁屏蔽门与所述门洞匹配;以及移动支撑架,所述磁屏蔽筒竖直安装于所述移动支撑架上。

进一步的,所述磁屏蔽筒横截面呈大于二分之一圆的圆弧结构。

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