[发明专利]像素阵列、图像传感器及图像传感器的自检方法在审
申请号: | 202111165044.6 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN115914613A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 杨光 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N17/00 | 分类号: | H04N17/00 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 张媛 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 图像传感器 自检 方法 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,包括:
感光像素区域,包括呈阵列设置的M行N列像素,所述像素用于在控制电路的控制下,通过读出电路输出像素数据以得到图像信号;
第一参考像素区域,包括与所述感光像素区域的N列像素对应设置的n列第一参考像素;每个所述第一参考像素用于接收对应的第一输入信号,并通过所述读出电路输出对应的第一输出信号,以用于根据所述第一输入信号和所述第一输出信号判断所述读出电路的状态是否正常,其中,n小于或等于N,n和N为大于0的自然数;和/或,
第二参考像素区域,包括与所述感光像素区域的M行像素对应设置的m行第二参考像素;每个所述第二参考像素用于接收对应的第二输入信号,并在所述控制电路的控制下,通过所述读出电路输出对应的第二输出信号,以用于根据所述第二输入信号和所述第二输出信号判断所述控制电路的状态是否正常,其中,m小于或等于M,m和M为大于0的自然数。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一参考像素区域包括与所述感光像素区域的N列像素对应设置的至少两行n列所述第一参考像素;和/或,所述第二参考像素区域包括与所述感光像素区域的M行像素对应设置的m行至少两列所述第二参考像素。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一参考像素区域还包括至少一条第一钳位电压线,用于为每个所述第一参考像素提供所述第一输入信号;其中,所述第一钳位电压线的条数小于或等于所述第一参考像素的个数;和/或,所述第二参考像素区域还包括至少一条第二钳位电压线,用于为每个所述第二参考像素提供所述第二输入信号;其中,所述第二钳位电压线的条数小于或等于所述第二参考像素的个数。
4.根据权利要求3所述的像素阵列,其特征在于,同一行所述第一参考像素中共用同一读出子电路的所述第一参考像素连接不同的所述第一钳位电压线;和/或,同一列所述第二参考像素中共用同一控制子电路的所述第二参考像素连接不同的所述第二钳位电压线。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一参考像素与选定的所述第一钳位电压线物理连接;或者,所述第一参考像素通过第一开关元件实现与对应所述第一钳位电压线的电性连接;和/或,所述第二参考像素与选定的所述第二钳位电压线物理连接;或者,所述第二参考像素通过第二开关元件实现与对应所述第二钳位电压线的电性连接。
6.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一参考像素与所述第二参考像素的结构相同。
7.根据权利要求1-6中的任意一项所述的像素阵列,其特征在于,所述第一参考像素包括:第一像素选择晶体管和第一源极跟随晶体管;和/或,所述第二参考像素包括:第二像素选择晶体管和第二源极跟随晶体管;
其中,所述第一源极跟随晶体管的栅极接收对应的第一输入信号,所述第一源极跟随晶体管的漏极耦接第一电源电压,所述第一源极跟随晶体管的源极耦接所述第一像素选择晶体管的漏极;所述第一像素选择晶体管的栅极接收像素选择信号,所述第一像素选择晶体管的源极耦接对应的列线,以通过所述读出电路输出对应的第一输出信号;
所述第二源极跟随晶体管的栅极接收对应的第二输入信号,所述第二源极跟随晶体管的漏极耦接第二电源电压,所述第二源极跟随晶体管的源极耦接所述第二像素选择晶体管的漏极;所述第二像素选择晶体管的栅极接收像素选择信号,所述第二像素选择晶体管的源极耦接对应的列线,以通过所述读出电路输出对应的第二输出信号。
8.根据权利要求7所述的像素阵列,其特征在于,所述第一源极跟随晶体管的数量为至少两个,且各所述第一源极跟随晶体管并联设置;和/或,所述第二源极跟随晶体管的数量为至少两个,且各所述第二源极跟随晶体管并联设置。
9.一种图像传感器,其特征在于,包括:如权利要求1-8任一项所述的像素阵列。
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