[发明专利]一种三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜，包括外层和中间层；所述外层为银纳米线-聚酰亚胺的复合纤维，所述中间层为MXene薄层；

其包括以下步骤：

（1）将可溶PI溶解于含有AgNW的DMF中，经静电纺丝得到AgNW-PI纳米纤维膜，其纺丝速度为0.3-0.5ml/h，纺丝电压为14-20kV，距离为10-15cm，空气湿度40%，纺丝时间为4-6h；

所述AgNW在DMF溶剂中的质量浓度范围 为0.5wt%-2wt%，AgNW和PI的质量比为1:10-1:100；

（2）将MXene溶液喷涂在AgNW-PI纤维表层，真空干燥后得到AgNW-PI/MXene双层复合膜；

（3）以AgNW-PI/MXene双层复合膜为基底，在MXene导电层上部再次静电纺丝一层AgNW-PI纤维，其纺丝速度为0.3-0.5ml/h，纺丝电压为14-20kV，距离为10-15cm，空气湿度40%，纺丝时间为4-6h，得到三明治结构的AgNW-PI/MXene/AgNW-PI三层复合纤维膜；

（4）通过热压工艺将AgNW-PI/MXene/AgNW-PI三层纤维膜热压成复合薄膜，热压温度为100℃-200℃，热压压力为1-3MPa，热压时间为1-10min，即为三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜。

2.根据权利要求1所述一种三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述可溶PI具有如下结构：

。

3.根据权利要求2所述一种三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，R₁由以下结构中的一种或多种组成:

、、或；

R₂由以下结构中的一种或多种组成:

、

或。

4.根据权利要求1所述一种三明治结构的聚酰亚胺基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述MXene溶液的制备方法为：在稀盐酸中加入氟化锂，搅拌反应，然后加入Ti₃AlC₂粉末进行选择性刻蚀，即得MXene溶液。