[发明专利]波长转换构件及发光装置

说明书

本发明的课题在于提供输出光的强度更大的波长转换构件。其解决方法是上述波长转换构件，其具备支撑体和配置于所述支撑体上的波长转换层，所述波长转换层具有包含组成由下述式(1)表示的荧光体的荧光体层。波长转换构件的所述荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下，在与所述波长转换层对于所述支撑体的配置面正交的截面中，相对于所述波长转换层的截面积，所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为5％以上且小于40。下述式(1)中，M¹表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种，M¹中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90％以上，p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0＜q≤1.2。La_pCe_qM¹_rSi₆N_s(1)。

技术领域

本发明涉及波长转换构件及发光装置。

背景技术

对于将从光源装置射出的光通过微反射镜投影至屏幕上而显示出彩色图像的图像投影装置(投影仪)而言，要求光源装置的高输出化。例如，日本特开2019-039992号公报中提出了在光源装置的一部分具备荧光体轮作为波长转换构件的投影仪，所述荧光体轮具备以圆盘状形成的支撑体和由特定的荧光体及透光性无机材料形成的荧光体层。为了光源装置的高输出化，要求进一步增大来自波长转换构件的输出光的发光强度。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的一个方式的目的在于提供输出光的强度更大的波长转换构件及发光装置。

解决课题的方法

第1方式为一种波长转换构件，其具备支撑体和配置于所述支撑体上的波长转换层，所述波长转换层具有包含组成由下述式(1)表示的荧光体的荧光体层。波长转换构件中的荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下。对于波长转换构件而言，相对于波长转换层的截面积，与波长转换层对于支撑体的配置面正交的截面中的荧光体的粒子截面积的总和的比率可以为5％以上且小于40％。

La_pCe_qM¹_rSi₆N_s (1)

在所述式(1)中，M¹表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种，M¹中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90％以上，p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0＜q≤1.2。

第2方式为一种发光装置，其具备所述波长转换构件、和在350nm以上且500nm以下的波长范围内具有发光峰值波长的发光元件。

发明的效果

根据本发明的一个方式，可以提供输出光的强度更大的波长转换构件及发光装置。

附图说明

图1A是从主面侧观察波长转换构件的平面示意图。

图1B是从侧面观察波长转换构件的侧面示意图，是将其一部分放大显示的图。

图2是示出发光装置的一例的结构示意图和将其一部分放大显示的图。

图3是示出发光装置的另一例的结构示意图和将其一部分放大显示的图。

图4是示出来自波长转换构件的射出光的发光强度相对于激发光源的输出密度的变化的图。

图5是示出射出光的发光强度的变化相对于波长转换构件中的荧光体层的厚度的图。

图6是波长转换构件的局部放大剖面图。

图7是图6的测定位置P附近的局部放大剖面图。