[发明专利]一种氧化物近红外发光材料及其制备方法与发光装置

权利要求书

1.一种氧化物近红外发光材料，其特征在于，其包含无机化合物，所述无机化合物的化学式为Cr_0.01CaSc_0.84Al_1.15SiO₆、Cr_0.01SrSc_0.99AlSiO₆或Cr_0.01CaSc_0.89Al_1.1SiO₆。

2.根据权利要求1所述的氧化物近红外发光材料，其特征在于，所述发光材料和CaScAlSiO₆具有相同的晶体结构。

3.根据权利要求1所述的氧化物近红外发光材料，其特征在于，所述无机化合物的化学式为Cr_0.01CaSc_0.84Al_1.15SiO₆，其在460 nm蓝光激发下的发射波长范围为700-1300 nm，峰值为930 nm，半峰宽可达210 nm；在100^oC时的发光强度为室温时的69%。

4.根据权利要求1所述的氧化物近红外发光材料，其特征在于，所述发光材料为单晶、粉晶、玻璃或者陶瓷中的一种或两种以上的组合。

5.权利要求1-4任一项所述的氧化物近红外发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1) 按化学式的化学计量比称取原料，并研磨混匀，得到原料混合物；

2) 将步骤1) 得到的混合物高温煅烧，得到烧结体；

3) 将步骤2) 得到的烧结体研磨成粉末，得到所述氧化物近红外发光材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1) 中，所述原料为SiO₂，钙、锶、钪、铝以及铬的单质、氧化物、卤化物、硫化物、碳酸盐、硼酸盐、硫酸盐、磷酸盐或硝酸盐；

步骤3) 中，所述研磨时间为3-60min。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤2) 中，所述高温煅烧在氧化、还原、空气、惰性气体环境下烧结；

步骤2) 中，所述煅烧温度为1250-1550℃，煅烧时间为3-48h。

8.一种转换型LED发光装置，其特征在于，包括封装基板、LED芯片和权利要求1-4任一项所述的氧化物近红外发光材料，所述发光材料能够吸收LED芯片发出的光并释放出近红外光。

9.根据权利要求8所述的转换型LED发光装置，其特征在于，所述LED芯片的发光波长位于400-800nm之间；所述LED芯片为InGaN或GaN蓝光半导体芯片。