[发明专利]半模加脊方同轴基片集成波导互连装置

权利要求书

1.一种半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，包括自上而下依次设置的五层物理结构，其中第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5；

在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列，所述金属化通孔阵列贯穿所述第一层至第五层，且由沿所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的长度方向呈一列排列的金属化通孔构成；

所述金属层L3包含一非接地金属和一接地金属，所述接地金属为所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的脊，所述接地金属被金属化通孔贯穿；

所述金属层L3的非接地金属构成内导体；

所述金属层L1、金属层L3的接地金属、金属层L5、金属化通孔阵列构成外导体；

介质层L2、介质层L4构成填充于外导体与内导体之间的介质，介质层L2与介质层L4采用介电常数不同的两种介质。

2.根据权利要求1所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置由所述外导体、内导体、上下两种介电常数不同的介质构成。

3.根据权利要求1或2所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属层L1、金属层L3、金属层L5的厚度均为t，介质层L2、介质层L4的厚度分别为h1和h2。

4.根据权利要求3所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属层L3中间金属的宽度a小于金属层L1以及金属层L5的宽度，且金属层L3在所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的宽度方向上位于金属化通孔一侧。

5.根据权利要求4所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属化通孔阵列中的金属化通孔的直径为r，且每列金属化通孔之间等间距排列，间距为d。

6.根据权利要求1或2所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，所述不同介电常数介质填充的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置采用准TEM模式传输信号。

7.根据权利要求1所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属层L3的两片金属设置在同一平面上。

8.根据权利要求1所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属层L3的两片金属与在金属层L1、金属层L5平行。

9.根据权利要求1所述的半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，金属层L3的接地金属被一排金属化通孔贯穿。