[发明专利]一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶及其制备方法

权利要求书

1.一种制备基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶的方法，其特征在于，薄膜热电偶包括陶瓷基底(1)，陶瓷基底(1)上对称设置并相互接触的氧化铟复合材料薄膜(2)和氧化铟薄膜(3)，氧化铟复合材料薄膜(2)和氧化铟薄膜(3)一侧的陶瓷基底(1)上设置有热电极连接区域(4)，另一侧的陶瓷基底(1)上对应设置引线连接区域(5)构成基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶，薄膜热电偶的工作温度为1000～1500℃，氧化铟复合材料薄膜(2)内掺杂有氧化锌、氧化锶或氧化镁，具体步骤如下：

S1、将松油醇、环氧树脂、聚醚胺和高温玻璃粉分别加入氧化铟粉末和氧化铟复合材料粉末中，分别配置氧化铟浆料和氧化铟复合材料浆料，氧化铟复合材料中掺杂有含量5％～20％的氧化锌、氧化锶或氧化镁；

S2、利用丝网印刷技术，先将步骤S1配置的氧化铟复合材料浆料印刷在陶瓷基底上，干燥得到氧化铟复合材料薄膜；

S3、将步骤S1配置的氧化铟浆料印刷在步骤S2处理完的陶瓷基底上，干燥得到氧化铟薄膜；

S4、将步骤S3处理完的陶瓷基底进行退火处理，得到基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化铟、氧化锌、氧化锶和氧化镁陶瓷粉体的粒径为50～100nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，松油醇分别与氧化铟粉末或氧化铟复合材料粉末的质量比为1:5～10，环氧树脂占氧化铟粉末或氧化铟复合材料粉末质量的10％～16％，聚醚胺质量占氧化铟粉末或氧化铟复合材料粉末质量的5％～10％，高温玻璃粉质量占氧化铟粉末或氧化铟复合材料粉末质量的6％～8％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2和S3中，干燥处理的温度为150～200℃，时间为10～30min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中，退火处理的条件为：在空气气氛下，1200～1300℃下处理1～3小时，升温速率为5～7℃/min。