[发明专利]一种MoS2 在审
| 申请号： | 202111129750.5 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113856489A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 任秀秀;姚政;于欢;钟璟;徐荣;郭猛;吴楠桦 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | B01D69/14 | 分类号： | B01D69/14;B01D67/00;B01D53/22 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 候晓燕 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos base sub | ||
1.一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，包括，
S1：由有机烷氧基硅烷通过水解聚合法制备有机硅溶胶；
S2：将MoS2分散液与有机硅溶胶混合均匀制备MoS2/有机硅分散液；
S3：将MoS2/有机硅分散液擦涂在撑体上，煅烧后得到MoS2/有机硅共混矩阵膜。
2.根据权利要求1所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，所述有机硅溶胶由有机烷氧基硅烷、乙醇、催化剂和水的混合溶液在20～60℃下搅拌1～5h制备而成。
3.根据权利要求2所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，
所述有机烷氧基硅烷包括双(三乙氧基硅基)甲烷、1,2-双(三乙氧基硅基)乙烷或1,3-双(三乙氧基硅基)丙烷中的一种或多种；
所用催化剂为含H+的酸性催化剂；
所述有机烷氧基硅烷、水、催化剂的摩尔比为1:10～300：0.1～0.8；
所述有机硅氧烷在有机烷氧基硅烷、水、催化剂、乙醇的混合液中的含量为2.0～5.0wt.％。
4.根据权利要求1所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，
所述MoS2分散液中，MoS2为二维片层结构，含量为5.0wt.％；溶剂为乙醇和水的混合溶液；
所述MoS2分散液与有机硅溶胶经超声分散混合均匀；所述超声时间为10～60min。
5.根据权利要求1所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述MoS2/有机硅分散液中，MoS2的含量为0.1～1.0wt.％，有机硅的含量为0.1～1.0wt.％。
6.根据权利要求1所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述擦涂温度为100～150℃；所述煅烧温度为200～300℃，煅烧时间为20～60min，所述撑体共被擦涂、煅烧2～3次。
7.根据权利要求1所述的一种MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法，其特征在于，所述撑体为表面负载过渡层的陶瓷载体，孔径为2～10nm；
所述过渡层由擦涂在陶瓷载体上的SiO2-ZrO2溶胶煅烧而成；所述煅烧时间为20min，煅烧温度为500～600℃。
8.一种MoS2/有机硅共混矩阵膜，其特征在于，由权利要求1～7中任意一项权利要求所述的MoS2/有机硅共混矩阵膜的制备方法制备而成。
9.权利要求1～7中任意一项权利要求所述的方法制备的MoS2/有机硅共混矩阵膜应用于分离混合气中的氢气。
10.权利要求8所述的MoS2/有机硅共混矩阵膜应用于分离混合气中的氢气。
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