[发明专利]光检测方法、光检测电路、显示屏及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111124505.5 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN114485928A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 田正 申请(专利权)人: 荣耀终端有限公司
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J1/44;G09G3/36
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 检测 方法 电路 显示屏 电子设备
【权利要求书】:

1.一种光检测电路,其特征在于,所述光检测电路集成在电子设备的显示屏内,包括:感光单元和放大读出单元,所述感光单元和所述放大读出单元连接;

所述感光单元用于检测第一信号,所述第一信号根据所述电子设备周围的光强变化而变化,其中,所述感光单元包括TFT或光电导电阻或结型光电器件;

所述放大读出单元用于放大所述第一信号,获得第二信号,所述第二信号指示所述电子设备周围的光强。

2.根据权利要求1所述的光检测电路,其特征在于,所述第二信号用于调整所述显示屏的亮度,其中,所述第二信号指示的光强越大,所述显示屏的亮度越高,所述第二信号指示的光强越小,所述显示屏的亮度越低。

3.根据权利要求1或2所述的光检测电路,其特征在于,所述感光单元包括N个并联的TFT,N≥2。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光检测电路,其特征在于,所述感光单元还包括电容,所述电容与所述TFT或光电导电阻或结型光电器件并联。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光检测电路,其特征在于,所述放大读出单元包括第一MOS管,

所述第一MOS管的栅极与所述感光单元的一端相连,所述第一MOS管的源极用于接收控制电压,所述第一MOS管的栅极用于输入所述第一信号,所述第一MOS管的漏极用于输出所述第二信号。

6.根据权利要求1-4任一项所述的光检测电路,其特征在于,所述放大读出单元包括第一MOS管,第二MOS管,

所述第一MOS管的栅极与所述感光单元的一端相连,所述第一MOS管的源极用于接收控制电压,所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极相连,所述第二MOS管的栅极用于接收控制电压,所述第一MOS管的栅极用于输入所述第一信号,所述第二MOS管的漏极用于输出所述第二信号。

7.根据权利要求5或6所述的光检测电路,其特征在于,所述放大读出单元还包括第三MOS管,

所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的栅极相连,所述第三MOS管的源极用于接收控制电压,所述第三MOS管的栅极用于接收控制电压,所述第三MOS管用于触发所述感光单元工作。

8.根据权利要求7所述的光检测电路,其特征在于,所述第一MOS管的源极与所述第三MOS管的源极相连。

9.根据权利要求1-8任一项所述的光检测电路,其特征在于,所述光检测电路位于所述显示屏的上边缘区域。

10.一种光检测电路,其特征在于,所述光检测电路集成在电子设备的显示屏内,所述光检测电路包括第一光检测电路、第二光检测电路和噪声消除电路,所述第一光检测电路与所述第二光检测电路的电路结构相同,都包含感光单元和放大读出单元,所述感光单元和所述放大读出单元连接,其中,所述感光单元包括TFT或光电导电阻或结型光电器件,所述第一光检测电路中的感光单元为未遮光处理的感光单元,所述第二光检测电路中的感光单元为遮光处理后的感光单元;

所述未遮光处理的感光单元用于检测第一信号,所述第一信号根据所述电子设备周围的光强变化而变化;

所述第一光检测电路的放大读出单元用于放大所述第一信号,获得第二信号;

所述遮光处理后的感光单元用于检测第三信号,所述第三信号不根据所述电子设备周围的光强变化而变化,或者,所述第三信号随着所述电子设备周围光强变化的趋势小于阈值;

所述第二光检测电路的放大读出单元用于放大所述第三信号,获得第四信号,所述第四信号与所述电子设备周围的光强无关,或者,所述第四信号与所述电子设备周围光强的关联小于阈值;

所述噪声消除电路用于获得所述第二信号与所述第四信号的差值信号,所述差值信号用于指示所述电子设备周围的光强。

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