[发明专利]一种P-tau检测免疫传感器及其制备和应用方法

权利要求书

1.一种P-tau检测免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)合成花状TiO₂；

(2)将传感器电极与杯芳烃衍生物溶液进行反应，使得杯芳烃衍生物附着在电极上；

(3)将Anti-tau抗体添加到附着有杯芳烃衍生物的电极表面上；

(4)将芯片电极与超分子化合物溶液进行反应，为抗体提供固定基底。

2.如权利要求1所述的P-tau检测免疫传感器的制备方法，其中，在步骤(1)中包括步骤：

(101)将钛酸四丁酯加入盐酸和去离子水的混合物中，搅拌1h；

(102)将上述混合物转移到衬有聚四氟乙烯的高压釜中，在160℃反应3小时；

反应结束后，离心得到的沉淀用去离子水反复洗涤以除去未反应的试剂；

(103)最后，将沉淀物在80℃下干燥12h得到花状TiO₂，并在4℃下储存备用。

3.如权利要求1所述的P-tau检测免疫传感器的制备方法，其中，步骤(2)中的杯芳烃衍生物溶液为0.1mM的Prolinker溶液，将电极置于Prolinker溶液中反应8-12h，反应结束后将电极置于甲醇溶液中洗涤1h，洗涤之后用超纯水清洗并用氮气吹干电极表面的水分。

4.如权利要求1所述的P-tau检测免疫传感器的制备方法，其中，步骤(3)中，将浓度为1μg/mL的Anti-tau抗体添加到附着有Prolinker的电极表面上，孵育2小时后，用缓冲液洗涤金片表面以洗脱未连接的抗体。

5.如权利要求1所述的P-tau检测免疫传感器的制备方法，其中，步骤(4)中，将芯片与浓度为0.01mg/mL的BSA溶液反应半小时。

6.一种P-tau检测免疫传感器，其特征在于，其使用花状TiO₂作为Anti-tau抗体的富集材料，使用超分子化合物为抗体固定基底。

7.如权利要求6所述的P-tau检测免疫传感器，其中，花状TiO₂是采用如下步骤制备的：

(1)将钛酸四丁酯加入盐酸和去离子水的混合物中，搅拌1h；

(2)将上述混合物转移到衬有聚四氟乙烯的高压釜中，在160℃反应3小时；反应结束后，离心得到的沉淀用去离子水反复洗涤以除去未反应的试剂；

(3)最后，将沉淀物在80℃下干燥12h得到花状TiO2，并在4℃下储存备用。

8.如权利要求6所述的P-tau检测免疫传感器，其中，超分子化合物为BSA。

9.一种如权利要求1-8中任意一项中所述的P-tau检测免疫传感器的应用方法，其特征在于，包括步骤：在靶标溶液中加入花状TiO₂溶液，随后通过离心添加至电极表面，并通过电化学阻抗检测P-tau引起电化学信号变化。