[发明专利]一种中频方波等离子体激发电源

权利要求书

1.一种中频方波等离子体激发电源，其特征在于，包括：电压调整模块、应力吸收与预输出电路、逆变与输出模块；其中，所述电压调整模块的输入端与外界输入信号连接，所述电压调整模块、所述应力吸收与预输出电路、所述逆变与输出模块依次连接；

输入信号通过电压调整模块输入调整电压，经由逆变与输出模块逆变为交流电并输出方波，并由应力吸收与预输出电路吸收逆变与输出模块电压应力，该电压应力并为输出的下一周期提供稳定的电压。

2.根据权利要求1所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述电压调整模块包括至少两个以上且并联相连的电压调整电路。

3.根据权利要求1所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述逆变与输出模块包括至少两个以上且并联相连的逆变与输出电路。

4.根据权利要求2所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述电压调整电路包括：包括二极管D1、整流管Q1-sr、电感L1-a、MOS管Q1；

所述二极管D1的负极与电容C1的一端电性连接，所述二极管D1的正极与所述电感L1-a的一端、所述MOS管Q1的漏极电性连接，所述电感L1-a的另一端与所述应力吸收与预输出电路、所述逆变与输出模块电性连接，所述MOS管Q1的源极与所述应力吸收与预输出电路电性连接，所述MOS管Q1的栅极接外界信号；

所述整流管Q1-sr的源极与所述二极管D1的正极电性连接，所述整流管Q1-sr的漏极与二极管D1的负极电性连接，所述整流管Q1-sr的栅极接外界信号。

5.根据权利要求4所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述逆变与输出电路包括；MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8、电感L2、电阻R1；

其中，所述MOS管Q5的漏极与所述二极管D1的负极、所述MOS管Q6的漏极电性连接，所述MOS管Q5的源极与所述MOS管Q7的漏极、所述电阻R1的一端电性连接，所述MOS管Q6的源极与所述电感L2的一端、所述MOS管Q8的漏极电性连接；

所述MOS管Q7、所述MOS管Q8的源极均与所述应力吸收与预输出电路的负极电性连接；

所述电感L2的另一端与所述电阻R1的另一端电性连接；

所述MOS管Q5、所述MOS管Q6、所述MOS管Q7、所述MOS管Q8的栅极均外接触发信号。

6.根据权利要求5所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，还包括与所述电阻R1并联的电容C2或者待激发成等离子的气体。

7.根据权利要求4所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述应力吸收与预输出电路包括：二极管D5、二极管D6、电容C3、电阻R4、电阻R5；

所述二极管D6的正极与所述电容C1的另一端、所述MOS管Q1的源极电性连接，所述二极管D6的负极与所述电容C3的一端、所述二极管D5的正极电性连接，所述二极管D5的负极与所述电感L1-a的一端电性连接；

所述二极管D5的负极与所述电感L1-a、所述逆变与输出模块电性连接，所述电容C3的另一端与所述二极管D1的负极、所述逆变与输出模块电性连接；

所述电阻R5与所述电容C3并联，所述电阻R4与所述二极管D5并联。

8.根据权利要求1所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述电压调整模块包括一个电压调整电路。

9.根据权利要求1所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述逆变与输出模块包括一个逆变与输出电路。

10.根据权利要求5所述的中频方波等离子体激发电源，其特征在于，所述MOS管Q1、所述MOS管Q 5、所述MOS管Q 6、所述MOS管Q 7、所述MOS管Q 8均为N型SIC MOSFET或IGBT。