[发明专利]一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置

说明书

本发明提供一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置，所述方法包括：根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加自旋轨道矩电流和自旋转移矩电流，并获取磁隧道结状态；其中，所述磁隧道结的数据定义规则是预设的；根据所述磁隧道结状态以及状态定义规则，获得所述待运算数据的逻辑运算结果并存储；其中，所述状态定义规则是预设的。所述装置用于执行上述方法。本发明实施例提供的基于磁隧道结的数据处理方法，利用磁隧道结实现了逻辑运算。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置。

背景技术

物联网、人工智能和边缘计算等技术的发展催生了海量数据。为满足海量数据应用场景对高能效计算的迫切需求，出现了磁性随机访问存储器(Magnetic Random AccessMemory，简称MRAM)，能够提高读写速度。

现有技术中，基于自旋轨道矩(Spin-orbit torque,简称SOT)的磁随机存储器SOT-MRAM已被提出，能够进一步提高写入速度并能够避免击穿风险。比如有人提出一种低功耗磁性存储单元，在反铁磁的作用下，SOT电流可以在没有外磁场的条件下实现数据写入；有人提出一种磁性存储器的数据写入方法，通过自旋轨道矩写入电流及自旋转移矩(Spin-transfer torque,简称STT)写入电流两个电流协同作用，实现可靠的数据写入。总之，目前SOT-MRAM在数据写入机制方面已有较多的探索。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种基于磁隧道结的数据处理方法，同时利用STT电流和SOT电流，利用磁隧道结的三端结构，分别施加电压，SOT电流与STT电流相互作用，实现逻辑计算与数据写入。

一方面，本发明提出一种基于磁隧道结的数据处理方法，包括：

根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加SOT电流和STT电流，并获取磁隧道结状态；其中，所述磁隧道结的数据定义规则是预设的；

根据所述磁隧道结状态以及状态定义规则，获得所述待运算数据的逻辑运算结果并存储；其中，所述状态定义规则是预设的。

另一方面，本发明提供一种基于磁隧道结的数据处理装置，包括：

施加模块，用于根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加SOT电流和STT电流，并获取磁隧道结状态；其中，所述磁隧道结的数据定义规则是预设的；

获得模块，用于根据所述磁隧道结状态以及状态定义规则，获得所述待运算数据的逻辑运算结果并存储；其中，所述状态定义规则是预设的。

再一方面，本发明提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述任一实施例所述基于磁隧道结的数据处理方法的步骤。

又一方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述基于磁隧道结的数据处理方法的步骤。

本发明实施例提供的基于磁隧道结的数据处理方法，能够根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加SOT电流和STT电流，并获取磁隧道结状态，根据磁隧道结状态以及状态定义规则，获得待运算数据的逻辑运算结果并存储，利用磁隧道结实现了逻辑运算。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明一实施例提供的磁隧道结的基本结构示意图。