[发明专利]一种含高温陷阱的光存储发光材料及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202111082090.X | 申请日: | 2021-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN113667476B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 张家骅;廖川;吴昊;张亮亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80 |
| 代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高温 陷阱 存储 发光 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含高温陷阱的光存储发光材料,其特征在于,其化学式为:(Y1-x-yTbxRy)3Al5O12,其中,R选自Sm2+、Eu2+中的至少一种,x和y都是摩尔分数,x的取值范围为0.0001≤x≤0.02,y的取值范围为0.00001≤y≤0.01。
2.根据权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料,其特征在于,x的取值范围为0.0001≤x≤0.01,y的取值范围为0.00001≤y≤0.005。
3.根据权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料,其特征在于,所述发光材料在300℃-600℃高温区至少存在三个陷阱热释峰,最强热释峰的峰值温度超过370℃,最高温热释峰的峰值超过480℃。
4.根据权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料,其特征在于,所述发光材料的高温陷阱热释峰的峰值温度通过调控Tb和R的掺杂浓度进行调节。
5.一种如权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料的制备方法,其特征在于,由原料Y2O3、Tb4O7、R2O3和Al2O3混合研磨均匀后在还原气氛下烧结制备而成。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,R在制备时发生价态的改变。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,原料Y2O3、Tb4O7、R2O3和Al2O3的摩尔比为6(1-x-y):3x:6y:10。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,还原气氛为一氧化碳或氢气;
烧结温度为1300~1600℃,烧结时间为2~8小时。
9.一种如权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料的应用,其特征在于,所述发光材料经紫外光辐照写入光信息后能够实现室温长期光存储。
10.一种如权利要求1所述的含高温陷阱的光存储发光材料的应用,其特征在于,所述发光材料通过加热手段或采用红光-近红外光激励手段能够将存储的信息以蓝绿光形式读出。
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