[发明专利]用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置

说明书

一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

本申请是申请日为2016年12月13日、申请号为201680079709.2、发明名称为“用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月21日提交的题为“用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置(SYSTEM，METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIALDEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR)”的美国实用申请No.15/003,385的权益，其通过引用整体并入本文。

背景技术

极紫外(EUV)光用于诸如极紫外光刻(EUVL)等应用。

极紫外(EUV)光可以使用EUV光源来生成，在EUV光源中通过高功率激光源来照射靶材料。激光源对靶材料的照射导致生成发射EUV光的等离子体。

位于EUV容器中的EUV收集器收集并且聚焦由等离子体发射的EUV光。所收集的EUV光被引导离开EUV容器并且进入EUV消耗系统，诸如极紫外光刻系统(EUVL)。

当靶材料被高功率激光源照射时，靶材料的很大一部分作为靶材料碎片分布在EUV容器周围。靶材料碎片沉积在EUV收集器和EUV容器内的各个内表面上。EUV收集器上的靶材料碎片沉积物降低了EUV收集器的收集性能。EUV容器的内表面上的靶材料碎片沉积物最终会从内表面剥落并且停留在EUV收集器上，从而进一步降低了EUV收集器的收集性能。

实施例正是在这种背景下产生的。

发明内容

概括来说，本发明通过提供一种用于在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基H^*的系统和方法来满足这些需要。应当理解，本发明可以以多种方式来实现，包括作为过程、装置、系统、计算机可读介质或设备。原位清洁提供了在生成EUV光的同时清洁EUV收集器和EUV容器的能力。原位清洁允许在不需要中断EUV生成操作的情况下清洁EUV收集器和EUV容器。下面描述本发明的若干发明实施例。

一个实施例提供了一种用于在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统，包括在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，以及使靶材料碎片沉积物挥发，以及在EUV容器中不需要含氧物质的情况下净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

另一实施例提供了一种包括EUV容器的EUV光源，EUV容器包括耦合到净化气体源的EUV容器净化气体入口，净化气体源能够将一定量的净化气体分配到EUV容器中。EUV收集器设置在EUV容器中。EUV收集器包括反射表面。靶材料源能够将一定量的靶材料分配到EUV容器中。一定量的靶材料的第一部分作为第一靶材料碎片沉积物设置在EUV收集器的反射表面的至少一部分上。第一氢自由基源设置在EUV容器内。第一氢自由基源包括靠近EUV收集器的反射表面设置的第一氢自由基源出口。第一氢自由基源还包括耦合到氢源的第一氢源入口、耦合到第一信号源的第一氢源电极和耦合到第二信号源的第二氢源电极。第一氢自由基源能够产生第一量的氢自由基并且从第一氢自由基源出口分配第一量的氢自由基。第一量的氢自由基能够与第一靶材料碎片沉积物结合以形成包含第一靶材料碎片沉积物的至少一部分的第一量的挥发性化合物。EUV容器净化出口被包括在EUV容器中，并且能够将第一量的挥发性化合物从EUV容器中排出。