[发明专利]一种超滑岛推动装置和超滑岛的处理方法

权利要求书

1.一种超滑岛处理方法，其特征在于，包括：在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影；在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具；所述推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同；其中，所述基底为透明基底，所述推动体阵列为透明电极阵列；将所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列对应接触并施加压力，并推动所述超滑岛阵列；分离所述处理治具和所述超滑岛阵列，并确定发生自回复的超滑岛；

标记所述发生自回复的超滑岛；将所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列对应接触，并对与所述发生自回复的超滑岛对应的电极施加静电，使所述发生自回复的超滑岛与施加静电的电极吸附；将吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与目标基底接触并施加压力；分离吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与所述目标基底，并撤销静电，使所述发生自回复的超滑岛吸附在所述目标基底上。

2.如权利要求1所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述透明电极阵列中每个电极的表面包裹有透明绝缘层。

3.如权利要求2所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述透明绝缘层不是光刻胶时，在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影包括：在所述基底的上表面依次层叠制备第一子绝缘层、电极层和第二光刻胶，并对所述第二光刻胶曝光显影；相应的，在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具包括：刻蚀所述电极层形成所述透明电极阵列，并去除所述第二光刻胶；在所述透明电极阵列的上表面涂覆第二子绝缘层；在所述第二子绝缘层的上表面涂覆第三光刻胶，并对所述第三光刻胶曝光显影；刻蚀所述第二子绝缘层，并去除所述第三光刻胶。

4.如权利要求2所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述透明绝缘层是光刻胶绝缘层时，在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影包括：在所述基底的上表面依次层叠制备第三子绝缘层、电极层和第四光刻胶，并对所述第四光刻胶曝光显影；相应的，在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具包括：刻蚀所述电极层形成所述透明电极阵列，并去除所述第四光刻胶；在所述透明电极阵列的上表面涂覆第四子绝缘层，并对所述第四子绝缘层曝光显影。

5.如权利要求2所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影之前，还包括：在所述基底的上表面生长透明柔性绝缘层。

6.如权利要求1所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层包括：采用磁控溅射方式，在所述显影后第一光刻胶的上表面制备电极层。

7.如权利要求1至6任一项所述的超滑岛处理方法，其特征在于，在所述将所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列对应接触并施加压力之前，还包括：在所述超滑岛阵列中每个超滑岛的上表面制作岛盖。

8.一种如权利要求1至7任一项所述的超滑岛处理方法采用的超滑岛推动装置，其特征在于，包括：

用于观察确定自回复的超滑岛的透明基底；

用于与超滑岛阵列对应接触并推动超滑岛阵列移动的推动体阵列，所述推动体阵列位于所述透明基底表面且所述推动体阵列为透明，所述推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同；

所述推动体阵列为透明电极阵列，所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列可对应接触，并对与发生自回复的超滑岛对应的电极施加静电，使所述发生自回复的超滑岛与施加静电的电极吸附或撤销静电吸附。

9.如权利要求8所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明电极阵列中每个电极表面的透明绝缘层。

10.如权利要求9所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明基底和所述透明电极阵列之间的透明柔性绝缘层。