[发明专利]电流采集电路、集成器件及电池管理系统

权利要求书

1.一种电流采集电路，所述电流采集电路用于检测电池/电池组的充电电流和/或放电电流，通过与所述电池/电池组串联的充电控制晶体管和放电控制晶体管来控制所述电池/电池组的充电和放电，其中所述充电控制晶体管的漏极和所述放电控制晶体管的漏极连接，其特征在于，所述电流采集电路包括：

第一晶体管和第二晶体管，用于对所述放电电流和/或所述充电电流进行检测，所述第一晶体管的漏极与所述放电控制晶体管的漏极和所述充电控制晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的漏极与所述放电控制晶体管的漏极和所述充电控制晶体管的漏极连接；

第一电压采集电路，所述第一电压采集电路的输入端与所述第一晶体管的源极连接；

第二电压采集电路，所述第二电压采集电路的输入端与所述第二晶体管的源极连接；以及

恒定电流源，用于提供恒定电流，并且所述恒定电流源的输出端与所述第一晶体管的源极或者所述第二晶体管的源极连接。

2.如权利要求1所述的电流采集电路，其特征在于，所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的沟道长宽比/元胞数量、与所述放电控制晶体管和/或所述充电控制晶体管的沟道长宽比/元胞数量成比例；

可选地，所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的导通电阻、且与所述放电控制晶体管和/或所述充电控制晶体管的导通电阻成比例；

可选地，所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的导通电阻大于所述放电控制晶体管和/或所述充电控制晶体管的导通电阻；

可选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管的导通电阻、和/或所述放电控制晶体管和/或所述充电控制晶体管的导通电阻相同；

可选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述放电控制晶体管和所述充电控制晶体管集成在一个器件中；

可选地，当对所述放电电流和/或所述充电电流进行检测时，所述第一晶体管导通并且所述第二晶体管断开，或者所述第二晶体管导通且所述第一晶体管断开；

可选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述放电控制晶体管和所述充电控制晶体管相同类型的NMOS晶体管或PMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的电流采集电路，其特征在于，所述第一电压采集电路包括第一开关和第一采集电容，所述第二电压采集电路包括第二开关和第二采集电容，所述第一开关和第二开关同时导通或断开，并且通过所述第一开关和第二开关的导通，分别将所述第一晶体管的源极的电压转移至所述第一采集电容以及将所述第二晶体管的源极的电压转移至第二采集电容。

4.如权利要求3所述的电流采集电路，其特征在于，还包括模数转换器，所述模数转换器用于将所述第一采集电容的电压和第二采集电容的电压转换为数字信号；

可选地，还包括基准电压生成电路，用于向所述模数转换器提供与温度无关的基准电压，所述模数转换器基于所述基准电压将所述第一采集电容的电压和第二采集电容的电压转换为数字信号。

5.如权利要求1所述的电流采集电路，其特征在于，

可选地，在放电检测过程和/或充电检测过程中，基于所述第一晶体管的源极的电压、所述第二晶体管的源极的电压、所述恒定电流的电流值、所述第一晶体管与所述放电控制晶体管的沟道长宽比/元胞数量的比例来确定所述放电电流和/或所述充电电流；

可选地，在放电检测过程和/或充电检测过程中，基于所述第二晶体管的源极的电压、所述第一晶体管的源极的电压、所述恒定电流的电流值、所述第二晶体管与所述充电控制晶体管的沟道长宽比/元胞数量的比例来确定所述放电电流和/或所述充电电流。