[发明专利]一种危险气体检测电路及危险气体检测方法

权利要求书

1.一种危险气体检测电路，其特征在于，包括开关电路(20)、半导体型传感器(30)、信号输出控制电路(40)和MCU，其中：

开关电路(20)，与半导体型传感器(30)、MCU和电源(10)连接，用于接收MCU的第一检测信号以导通，实现给半导体型传感器(30)供电；

半导体型传感器(30)，具有电源端、接地端和信号输出端，所述电源端与开关电路(20)连接，所述接地端接地，所述信号输出端与MCU、信号输出控制电路(40)连接，用于在开关电路(20)导通后完成加热并对待测气体进行检测，且在信号输出控制电路(40)导通后输出气体检测信号；

信号输出控制电路(40)，与MCU、电源(10)连接，用于接收MCU的第二检测信号以导通，并使半导体型传感器(30)输出气体检测信号；

MCU与电源(10)连接，用于间断性输出第一检测信号，并在半导体型传感器(30)完成加热后输出第二检测信号，且在输出第二检测信号后接收气体检测信号；所述开关电路(20)包括第一电阻R1、开关模块(21)和第一电容C1，所述第一电阻R1的一端和电源(10)连接，所述第一电阻R1的另一端和开关模块(21)、第一电容C1连接，所述开关模块(21)分别和MCU、半导体型传感器(30)和第一电容C1的正极连接，所述第一电容C1的负极接地；所述开关模块(21)采用P沟道场效应管Q1，所述P沟道场效应管Q1的源极和第一电阻R1、第一电容C1连接，P沟道场效应管Q1的栅极和MCU连接，P沟道场效应管Q1的漏极和半导体型传感器(30)连接；所述开关电路(20)还包括第二电阻R2，所述第二电阻R2的一端和第一电阻R1、第一电容C1的正极、P沟道场效应管Q1的源极连接，第二电阻R2的另一端和MCU、P沟道场效应管Q1的栅极连接；所述开关电路(20)还包括第二电容C2，所述第二电容C2的一端和P沟道场效应管Q1的漏极、半导体型传感器(30)连接，第二电容C2的另一端接地；所述信号输出控制电路(40)包括第三电阻R3、第四电阻R4和开关单元(41)，所述第三电阻R3的一端和MCU连接，第三电阻R3的另一端和半导体型传感器(30)、第四电阻R4的一端连接，所述第四电阻R4的另一端和开关单元(41)连接，所述开关单元(41)分别和电源(10)、MCU连接；所述开关单元(41)采用P沟道场效应管Q2，所述P沟道场效应管Q2的源极和电源(10)连接，P沟道场效应管Q2的栅极和MCU连接，P沟道场效应管Q2的漏极和第四电阻R4连接。

2.根据权利要求1所述的危险气体检测电路，其特征在于：所述电源(10)采用供电电池。

3.根据权利要求2所述的危险气体检测电路，其特征在于：还包括降压电路(50)，所述降压电路(50)包括瞬态二极管E1、防反接单元(51)和降压稳压单元(52)，所述瞬态二极管E1的一端和供电电池的正极连接，瞬态二极管E1的另一端和供电电池的负极、地连接，所述防反接单元(51)的输入端和瞬态二极管E1、供电电池连接，防反接单元(51)的输出端和降压稳压单元(52)的输入端连接，所述降压稳压单元(52)的输出端和开关电路(20)、信号输出控制电路(40)、MCU连接。

4.一种危险气体检测方法，其特征在于，适用于如权利要求1-3任一所述的危险气体检测电路，包括以下步骤：

MCU以第一时间间隔输出第一检测信号至开关电路(20)的控制端，开关电路(20)导通，电源(10)给半导体型传感器(30)供电，开关电路(20)导通的时间为T1；在开关电路(20)导通的时间内，半导体型传感器(30)完成加热并对待测气体进行检测；

在半导体型传感器(30)完成加热后，MCU输出第二检测信号至信号输出控制电路(40)的控制端，信号输出控制电路(40)导通，信号输出控制电路(40)导通的时间为T2，其中，T1＞T2；在信号输出控制电路(40)导通的时间内，半导体型传感器(30)输出气体检测信号；

MCU接收气体检测信号，并停止输出第一检测信号和第二检测信号；

MCU对气体检测信号进行解析，若解析到半导体型传感器(30)检测到待测气体，则MCU以第二时间间隔输出第一检测信号，并重复上述步骤，其中，第二时间间隔小于第一时间间隔；否则直接重复上述步骤。