[发明专利]温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 202111062083.3 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113880573A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 李玲霞;李钰婷;乔坚栗 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 琪琛 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 稳定 型低介电 损耗 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料,其特征在于,表达式为(Mg1/3Nb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO2,其中x=0.1~0.2;该微波介质陶瓷材料以MgO、TiO2、ZrO2、Nb2O5为原料,采用传统固相烧结后进行退火工艺得到。
2.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料,其特征在于,其谐振频率温度系数τf为+13~-13ppm/℃,品质因数Q×f值为37072GHz~45530GHz。
3.根据权利要求2所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料,其特征在于,介电常数εr为38.9~41.7。
4.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料,其特征在于,当x=0.13时,(Mg1/3Nb2/3)0.13(Zr0.5Ti0.5)0.87O2的谐振频率温度系数为+0.8ppm/℃,Q×f为40217GHz,介电常数为40.887。
5.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料,其特征在于,当x=0.15时,(Mg1/3Nb2/3)0.15(Zr0.5Ti0.5)0.85O2的谐振频率温度系数为-1.65ppm/℃,Q×f为41346GHz,介电常数为40.214。
6.一种如权利要求1-5所述温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,该方法按照以下步骤进行:
(1)将MgO、TiO2、ZrO2、Nb2O5按化学计量式进行配料,将混合的粉料进行球磨;
(2)将步骤(1)球磨后的粉料烘干后过筛;
(3)将过筛后的混合粉料在空气气氛中煅烧,初步合成(Mg1/3Nb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO2粉料,其中x=0.1~0.2;
(4)将步骤(3)合成的(Mg1/3Nb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO2粉料加入粘结剂进行造粒,而后进行球磨,烘干,过筛;
(5)将步骤(4)过筛后粉料压制成坯体后在空气气氛中烧结,得到陶瓷样品;
(6)将步骤(5)得到的陶瓷样品在空气气氛中退火处理,得到最终样品。
7.根据权利要求6所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中的煅烧温度为1200℃,煅烧时间为4h。
8.根据权利要求6所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(5)中的烧结温度为1375℃,烧结时间为6h。
9.根据权利要求6所述的一种温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(6)中退火处理的温度为1200℃,处理时间为8h。
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