[发明专利]一种低功耗过温检测电路

权利要求书

1.一种低功耗过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，其特征在于，所述低功耗过温检测电路包括：

偏置模块，所述偏置模块的第一输入端连接参考电压，所述偏置模块根据所述参考电压产生偏置电压；所述参考电压为所述低功耗过温检测电路所在芯片的内部电压；

电阻桥，所述电阻桥包括检测电阻，所述电阻桥的第一端连接所述偏置模块的第二输入端；用于产生阈值电压和检测电压，所述阈值电压对应于所述待测设备过温的温度值，所述检测电压对应于通过所述检测电阻感应到的所述待测设备的实时温度值；

处理模块，所述处理模块连接所述偏置模块的输出端和电阻桥；所述处理模块根据所述偏置电压和所述检测电阻产生变频控制指令，并根据所述变频控制指令对所述阈值电压和所述检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。

2.根据权利要求1所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述处理模块至少包括转换单元、振荡器和比较单元；

所述转换单元的第一端连接所述偏置模块的输出端，所述转换单元的第二端连接所述电阻桥的第一端，用于根据所述偏置电压将所述检测电阻的阻值转换为电信号；

所述振荡器的输入端所述转换单元的输出端，用于根据所述电信号产生所述变频控制指令；

所述比较单元的输入端和所述比较单元的参考端连接所述电阻桥，所述比较单元的控制端连接所述振荡器的输出端；用于根据所述变频控制指令对所述阈值电压和所述检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。

3.根据权利要求2所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述电信号正比于所述待测设备的实时温度值。

4.根据权利要求2或3所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述电阻桥还包括第一电阻支路和第二电阻支路；所述第一电阻支路和所述第二电阻支路并联；所述第一电阻支路上的每个电阻和所述第二电阻支路上的每个电阻都为阻值相同的固定电阻；

所述第一电阻支路包括至少两个电阻；所述第一电阻支路的第一端连接所述偏置模块的第二输入端，所述第一电阻支路的第二端接地；选择所述第一电阻支路上两电阻之间的第一中间连接点作为所述电阻桥的第一分压点，所第一分压点连接所述比较单元的参考端；所述第一分压点产生所述阈值电压；

所述第二电阻支路包括至少两个电阻；所述第二电阻支路的第一端连接所述偏置模块的第二输入端，所述第二电阻支路的第二端接地；选择所述第二电阻支路上两电阻之间的第二中间连接点作为所述电阻桥的第二分压点，所述第二分压点连接所述检测电阻的第一端，所述检测电阻的第二端接地，所第二分压点连接所述比较单元的输入端，所述第二分压点产生所述检测电压。

5.根据权利要求4所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述处理模块还包括双向开关，所述双向开关连接所述电阻桥和所述转换单元，用于维持或改变所述电阻桥的结构关系，以控制所述比较单元的状态。

6.根据权利要求5所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述转换单元包括第一电流镜和第二NMOS管，所述第一电流镜包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第二NMOS管的栅极连接所述偏置模块的输出端，所述第二NMOS管的源极连接所述偏置模块的第二输入端；所述第二NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接所述低功耗过温检测电路的供电电压；所述第二PMOS管的漏极连接所述振荡器的输入端。

7.根据权利要求6所述的低功耗过温检测电路，其特征在于：所述双向开关包括第一开关和第二开关；所述第一开关的第一端连接所述第二分压点，所述第一开关的第二端连接所述检测电阻的第一端，所述第一开关的控制端连接所述振荡器的输出端；所述第二开关的第一端连接所述检测电阻的第一端，所述第二开关的第二端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二开关管的控制端通过反相器连接所述振荡器的输出端。