[发明专利]声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置在审
| 申请号: | 202111054038.3 | 申请日: | 2021-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN113839641A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 韩兴;周建 | 申请(专利权)人: | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面波 谐振 装置 形成 方法 滤波 射频 前端 | ||
1.一种声表面波谐振装置,其特征在于,包括:
压电基底,所述压电基底包括位于第一侧的离子注入部,所述离子注入部嵌入所述压电基底;
电极层,位于所述第一侧,位于所述离子注入部上方,所述电极层包括:多个第一电极条及连接所述多个第一电极条的第一总线,多个第二电极条及连接所述多个第二电极条的第二总线,所述多个第一电极条和所述多个第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置;
所述离子注入部位于所述多个第一电极条和所述多个第二电极条的重合区域靠近所述第一总线和所述第二总线的两侧下方,还位于所述多个第一电极条中的一个第一电极条与相邻的所述多个第二电极条中的一个第二电极条之间。
2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述离子注入部包括注入的离子,所述离子包括以下至少之一:铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氧离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子。
3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述离子注入部包括第一子部和第二子部,所述第一子部靠近所述第一总线,所述第二子部靠近所述第二总线。
4.如权利要求3所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述多个第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与所述第二子部具有多个第一重合部,所述多个第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与所述第一子部具有多个第二重合部。
5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一子部还位于所述多个第二重合部之间,连接所述多个第二重合部,所述第二子部还位于所述多个第一重合部之间,连接所述多个第一重合部。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一子部还位于所述多个第二端与所述第一总线之间,所述第二子部还位于所述多个第一端与所述第二总线之间。
7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述离子注入部包括多个第三子部和多个第四子部,所述多个第三子部靠近所述第一总线,所述多个第四子部靠近所述第二总线。
8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述多个第四子部与所述多个第一电极条靠近所述第二总线的对应的多个第一端具有多个第三重合部,所述多个第三子部与所述多个第二电极条靠近所述第一总线的对应的多个第二端具有多个第四重合部。
9.如权利要求8所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述多个第三子部中的至少一个还位于所述多个第四重合部与相邻的第一电极条之间,所述多个第四子部中的至少一个还位于所述多个第三重合部与相邻的第二电极条之间。
10.如权利要求9所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述多个第三子部中的至少一个还位于所述多个第二端与所述第一总线之间,所述多个第四子部中的至少一个还位于所述多个第一端与所述第二总线之间。
11.如权利要求7所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述多个第四子部位于所述多个第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与相邻的第二电极条之间,所述多个第三子部位于所述多个第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与相邻的第一电极条之间。
12.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:温度补偿层,位于所述压电基底上,覆盖所述电极层。
13.一种滤波装置,其特征在于,包括:至少一个如权利要求1至12其中之一所述的声表面波谐振装置。
14.一种射频前端装置,其特征在于,包括:功率放大装置与至少一个如权利要求13所述的滤波装置;所述功率放大装置与所述滤波装置连接。
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