[发明专利]包括间隙电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111034257.5 申请日: 2021-09-03
公开(公告)号: CN115765675A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 马晓丹;郝龙;徐洋 申请(专利权)人: 诺思(天津)微系统有限责任公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/54;H03H9/13
代理公司: 北京金诚同达律师事务所 11651 代理人: 汤雄军
地址: 300462 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 包括 间隙 电极 声波 谐振器 滤波器 电子设备
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振器,包括:

基底;

底电极;

顶电极;

声学镜;和

压电层,

其中:

所述底电极为包括间隙层的间隙电极,所述间隙层形成所述声学镜,顶电极、底电极、压电层和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域限定谐振器的有效区域;

所述谐振器还包括第一种子层,所述第一种子层的至少一部分限定所述间隙层的上侧边界;

在底电极的电极连接端,所述第一种子层的边缘与所述有效区域的边缘之间在水平方向上存在第一距离a,在底电极的非电极连接端,所述第一种子层的边缘与所述有效区域的边缘之间在水平方向上存在第二距离b,其中,a和/或b的值不小于-2.0μm。

2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:

a和/或b的值不小于-1.5μm。

3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:

a和/或b的值小于1.0μm。

4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:

在水平方向上,所述第一种子层的边缘均处于有效区域的外侧。

5.根据权利要求1所述的谐振器,其中:

第一种子层的边缘在水平方向上处于所述声学镜的外侧。

6.根据权利要求1所述的谐振器,其中:

所述谐振器还设置有沿所述谐振器的有效区域设置的声学阻抗不匹配结构。

7.根据权利要求1所述的谐振器,其中:

所述谐振器还包括第二种子层,所述第二种子层限定所述声学镜的下边界。

8.根据权利要求7所述的谐振器,其中:

在水平方向上,在底电极的非电极连接端和/或电极连接端,所述第一种子层的边缘处于所述第二种子层的边缘的外侧。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器,其中:

所述有效区域的面积为A,所述第一种子层与所述有效区域的重合面积为B,则B/A的比值P不小于0.5。

10.根据权利要求9所述的谐振器,其中:

P的值不小于0.8。

11.一种滤波器,包括根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器。

12.一种电子设备,包括根据权利要求11所述的滤波器或根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器。

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