[发明专利]一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层、制备方法及应用

权利要求书

1.一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层的应用，其特征在于，所述的陶瓷涂层是由如下质量百分比的组分制备的特征涂料的浆料固化而成：

纳米氧化铋 10～25%

硅烷 20～30%

酸 2～5%

溶剂 45～60%

助剂 1～5%；

其中，所述的硅烷为正硅酸乙酯，甲基三甲氧基硅烷，丙基三甲氧基硅烷，乙基三甲氧基硅烷，环氧基硅烷的一种或多种；

所述的特征涂料在电子元器件管壳基体表面固化后，所形成的均匀致密的陶瓷涂层，用于提高电子元器件基体的抗辐射性能。

2.根据权利要求1所述的纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层的应用，其特征在于，所述的酸为甲酸、乙酸、柠檬酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层的应用，其特征在于，

所述的溶剂为醇水溶液，醇与水的质量比例为1:（1～2）；所述的醇为乙醇、异丙醇、正丁醇的一种或多种。

4.一种权利要求1-3之一所述的应用中纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1：涂料制备

将制备特征涂料的各组分根据设定的比例，在室温下混合均匀得到浆料，然后将该浆料在60～80℃条件下熟化0.5～1h，即得特征涂料；

S2：涂层制备

S2.1 对电子元器件管壳基底材料表面进行除油除水化处理后，用特征涂料均匀涂覆在该管壳基底材料表面，制备出一层均匀分布的特征涂层；

S2.2 将该特征涂层在60～80℃环境中烘烤4～8h，使该特征涂层完全固化，得到一层均匀、致密的固化陶瓷涂层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述元器件管壳基底材料为氧化铝或铁镍合金，所述的涂覆方法为喷涂、刷涂、浸涂、旋涂方法的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S2制备的特征涂层，固化后得到的陶瓷涂层的总厚度为0.5-500μm，密度为2.7g/cm^-3；根据抗辐射的需求和固化陶瓷涂层厚度的需要，步骤S2.1还包括将特征涂料均匀涂覆在管壳基底材料表面，重复涂覆一次或多次。