[发明专利]一种碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料及其制备和应用有效
申请号: | 202111010284.9 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN113839027B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 周向清;周昊辰;王鹏;周进辉 | 申请(专利权)人: | 湖南宸宇富基新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 盛武生 |
地址: | 415137 湖南省常德市常德国*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳包覆 渐变 氧化 材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料,其特征在于,包括核以及包覆在其表面的碳壳;
所述的核为氧-孔双渐变的多孔氧化亚硅材料,其孔结构和氧含量沿核颗粒的径向呈双向渐变分布;其中,氧含量自内向外渐变递减;孔结构自内向外渐变递增。
2.如权利要求1所述的碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料,其特征在于,所述的核中,颗粒中心氧的质量百分含量范围在20-35%,表面氧的质量百分含量范围在1-15%,总氧含量在10-30%;
优选地,所述的核为微米级颗粒,优选地,D50为1-30μm;进一步优选为5-10μm;
优选地,所述的碳壳为无定形碳;
优选地,所述的碳壳具有多孔结构;
优选地,所述的无定型碳未嵌入至核的多孔结构中;
优选地,所述的碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料中,碳的含量为5~50wt.%。
3.一种碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(1):
在一氧化硅细粉表面包覆碳源,再在还原性气氛下进行二段热处理,获得氧渐变分布的还原产物;其中,一段还原的温度为350-450℃;二段还原的温度为600-1050℃;
步骤(2):
将还原产物置于缓冲刻蚀溶液中进行缓冲刻蚀;
所述的缓冲刻蚀溶液为含有氟源、弱酸和弱碱盐的缓冲溶液;
步骤(3):
向步骤(2)的缓冲刻蚀体系中添加金属盐分散液,混合得到底液,随后再在搅拌下向底液中添加氧化剂和有机质,进行造孔刻蚀;
步骤(4):
步骤(3)反应完成后经固液分离、洗涤、干燥,即得所述的碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料。
4.如权利要求3所述的碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,一氧化硅细粉的粒径小于或等于30μm:
优选地,所述的碳源为煤沥青、石油沥青、酚醛树脂、环氧树脂、蔗糖、葡萄糖、淀粉、多巴胺中的至少一种;
优选地,所述的碳源完全包覆一氧化硅细粉颗粒表面;
优选地,所述的碳源和一氧化硅细粉的质量比为1~15:5~20;
优选地,还原性气氛为含氢气的气氛;优选为氢气,或者氢气-保护气的混合气氛;
进一步优选,还原性气氛中,氢气的含量为5-20v%;
优选地,以2-5℃/min的升温速度升温至一段还原温度,一段还原的保温时间优选为2~4h;
优选地,以5-10℃/min的升温速度升温至二段还原温度;优选地,二段还原的时间为2-4h。
5.如权利要求3所述的碳包覆的氧-孔双渐变氧化亚硅材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的氟源为能电离出F-的水溶性物质,优选为HF、NaF、KF、(NH)4F中的至少一种;
优选地,所述的弱酸为有机酸,进一步优选为单元~三元的有机羧酸;更进一步优选为醋酸;
优选地,弱碱盐为铵根离子盐;优选为氟化铵、氯化铵、硝酸铵、硫酸铵中的至少一种;
优选地,所述的缓冲刻蚀溶液中,氟源的质量浓度为5~30%;弱酸的质量浓度为5~20%;弱碱盐的质量浓度为1~15%;
优选地,所述的缓冲刻蚀溶液的pH为2~6;
优选地,所述的缓冲刻蚀溶液为溶解由氢氟酸、醋酸和氟化铵的水溶液,其中,氢氟酸质量百分浓度在5-15wt.%,醋酸质量百分浓度在5-20wt.%,氟化铵质量百分浓度在1-10wt.%;
优选地,还原产物和缓冲刻蚀溶液的固液比为0.01~0.5g/mL;
优选地,所述的缓冲刻蚀阶段的温度为20-30℃,反应时间2-5小时。
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