[发明专利]一种运算放大器电路在审
| 申请号: | 202111004370.9 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN113612449A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
| 发明(设计)人: | 陆熙良;曾奕恩 | 申请(专利权)人: | 北京北斗华大科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/14;H03F1/48;H03F3/45 |
| 代理公司: | 深圳市壹壹壹知识产权代理事务所(普通合伙) 44521 | 代理人: | 阮帆 |
| 地址: | 100000 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 运算放大器 电路 | ||
1.一种运算放大器电路,包括两个差分信号输入端、两个差分信号输出端、偏置电路、全差分运算放大器主电路和共模反馈电路,其特征在于,全差分运算放大器主电路包括作为第一级的第一差分放大电路和作为第二级的前向放大补偿与推挽驱动电路,前向放大补偿与推挽驱动电路包括两组参与前向放大补偿和推挽驱动的可切换开关管阵列。
2.根据权利要求1所述的运算放大器电路,其特征在于,第一差分放大电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管, 前向放大补偿与推挽驱动电路包括第五PMOS管、第六PMOS管和所述的两组可切换开关管阵列;第一NMOS管的漏极通过第三PMOS管接电源正极,第二NMOS管的漏极通过第四PMOS管接电源正极;第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极连接后接偏置电路,第一NMOS管的栅极接第一差分信号输入端,第二NMOS管的栅极接第二差分信号输入端;每组可切换开关管阵列包括复数个可切换的并接的NMOS管,第五PMOS管的栅极接第一NMOS管的漏极,第六PMOS管的栅极接第二NMOS管的漏极;第五PMOS管的源极和第六PMOS管的源极接电源正极,第五PMOS管的漏极接第一差分信号输出端,并通过第一组可切换开关管阵列的NMOS管接地;第六PMOS管的漏极接第二差分信号输出端,并通过第二组可切换开关管阵列的NMOS管接地;第一组可切换开关管阵列并接的NMOS管的栅极通过第一交流耦合电容接第二NMOS管的栅极,第二组可切换开关管阵列并接的NMOS管的栅极通过第二交流耦合电容接第一NMOS管的栅极。
3.根据权利要求2所述的运算放大器电路,其特征在于,共模反馈电路包括第二差分放大电路和共模采样电路;第二差分放大电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、两组可切换的并联PMOS管和共模采样电路,第五NMOS管的漏极通过第一组可切换的并联PMOS管接电源正极,第六NMOS管的漏极通过第二组可切换的并联PMOS管接电源正极;第五NMOS管的源极与第六NMOS管的源极连接后接偏置电路,第五NMOS管的栅极接共模采样电路的输出端,第六NMOS管的栅极接参考电压信号输入端;共模采样电路包括两个串联的采样电阻,两个采样电阻的连接点为所述的共模采样电路的输出端;共模采样电路的两端分别接第一差分信号输出端和接第二差分信号输出端。
4.根据权利要求3所述的运算放大器电路,其特征在于,共模反馈电路包括共模反馈补偿电路,共模反馈补偿电路包括第一RC滞后补偿电路和第二RC滞后补偿电路;第一组可切换的并联PMOS管的源极和第二组可切换的并联PMOS管的源极接电源正极,第一组可切换的并联PMOS管的漏极和栅极接第五NMOS管的漏极,第二组可切换的并联PMOS管的漏极和栅极接第六NMOS管的漏极;第一组可切换的并联PMOS管的栅极通过第二RC滞后补偿电路接电源正极,并连接第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极;第五NMOS管的栅极通过第一RC滞后补偿电路接地。
5.根据权利要求2所述的运算放大器电路,其特征在于,前向放大补偿与推挽驱动电路包括两个米勒补偿电容,第一米勒补偿电容接在第五PMOS管的栅极与漏极之间,第二米勒补偿电容接在第六PMOS管的栅极与漏极之间。
6.根据权利要求3所述的运算放大器电路,其特征在于,偏置电路包括基准电流源、偏置电路第一NMOS管、偏置电路第二NMOS管和偏置电路可切换开关管阵列,偏置电路可切换开关管阵列包括复数个可切换的并接的NMOS管;基准电流源的输入端接电源正极,输出端接偏置电路第一NMOS管的漏极,偏置电路第一NMOS管的漏极与栅极连接,偏置电路第一NMOS管的源极接地;偏置电路第二NMOS管的栅极接偏置电路第一NMOS管的栅极,偏置电路第二NMOS管的源极接地,漏极接第一差分放大电路第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极;偏置电路可切换开关管阵列NMOS管的栅极接偏置电路第一NMOS管的栅极、偏置电路可切换开关管阵列NMOS管的源极接地,漏极接第二差分放大电路第五NMOS管的源极和第六NMOS管的源极。
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