[发明专利]一种超低温漂的带隙基准电压源

权利要求书

1.一种超低温漂的带隙基准电压源，包括主基准源产生电路，所述主基准源产生电路包括共用基极的NPN晶体管Q1和NPN晶体管Q2，连接在所述NPN晶体管Q2发射极的电阻R2，以及正输入端与所述NPN晶体管Q1集电极连接、负输入端与所述NPN晶体管Q2集电极连接的运放A1，其特征在于，还包括高阶补偿电路，

所述高阶补偿电路包括温度系数补偿电路和零温度产生电路，所述温度系数补偿电路与所述NPN晶体管Q1的发射极连接，用于获取所述NPN晶体管Q1的发射极流出的正温度系数电流，所述温度系数补偿电路包括NPN晶体管Q3，所述零温度产生电路连接在所述NPN晶体管Q3的发射极，用于在所述NPN晶体管Q3的发射极产生零温度电流，所述NPN晶体管Q3的基极和集电极均与所述NPN晶体管Q1和NPN晶体管Q2的基极连接；所述温度系数补偿电路的输出端与所述主基准源产生电路的所述运放A1的输出端连接，用于将所述正温度系数电流和所述零温度电流通过BE结的电压差，乘以工艺温漂系数补偿到所述主基准源产生电路的电压源内，以消除高阶电压项；

所述温度系数补偿电路还包括电阻R3，所述电阻R3的一端与所述NPN晶体管Q1的发射极连接，另一端与所述NPN晶体管Q3的发射极连接；

所述温度系数补偿电路还包括缓冲器，所述缓冲器连接在所述电阻R3与所述NPN晶体管Q3的发射极之间，用于阻隔流入或流出所述电阻R3的电流影响所述NPN晶体管Q3发射极电流的温度漂移；

所述零温度产生电路包括，由运放A3、晶体管MP0和电阻R4组成的负反馈电路，所述运放A3的正输入端接所述主基准源产生电路，负输入端连接电阻R4，输出端连接所述晶体管MP0的栅极，所述晶体管MP0的漏极与所述电阻R4连接；

所述零温度产生电路还包括，由所述晶体管MP0和晶体管MP1组成的电流镜，以及晶体管MN0和晶体管MN1组成的电流镜，所述晶体管MP1与所述晶体管MN1连接，所述晶体管MN0连接所述NPN晶体管Q3，用于将通过所述电阻R4产生的零温度电流镜像到所述NPN晶体管Q3的发射极。

2.根据权利要求1所述的超低温漂的带隙基准电压源，其特征在于，所述缓冲器采用运放A2，所述运放A2的输出端和负输入端相连接，且连接所述电阻R3，所述运放A2的正输入端连接所述NPN晶体管Q3的发射极。

3.根据权利要求1所述的超低温漂的带隙基准电压源，其特征在于，所述电阻R3的一阶温度系数小于100ppm/C。

4.根据权利要求1所述的超低温漂的带隙基准电压源，其特征在于，所述NPN晶体管Q1、NPN晶体管Q2和NPN晶体管Q3的beta值大于50。