[发明专利]一种采用钳位电阻的超宽带射频收发开关

权利要求书

1.一种采用新型钳位电阻的超宽带射频收发开关，包括：发射通路与接收通路，其特征在于，从接收机出发，所述发射通路包括：依次连接的一个并联三堆叠NMOS晶体管与一个串联两堆叠NMOS晶体管、以及一个钳位电阻R，所述钳位电阻R连接于并联三堆叠NMOS晶体管中第一级NMOS晶体管的源极与串联两堆叠NMOS晶体管中第一级NMOS晶体管的漏极之间；从天线出发，所述接收通路包括：依次连接的一个串联三堆叠NMOS晶体管与一个并联两堆叠NMOS晶体管、以及一个钳位电阻R，所述钳位电阻R连接于串联三堆叠NMOS晶体管中第三级NMOS晶体管的漏极与并联两堆叠NMOS晶体管中第一级NMOS晶体管的源极之间。

2.按权利要求1所述采用新型钳位电阻的超宽带射频收发开关，其特征在于，所述发射通路中，所述并联三堆叠NMOS晶体管由NMOS晶体管M1～M3构成，NMOS晶体管M1的漏极连接收发机，NMOS晶体管M1的源极连接NMOS晶体管M2的漏极，NMOS晶体管M2的源极连接NMOS晶体管M3的漏极，NMOS晶体管M3的源极接地；所述串联两堆叠NMOS晶体管由NMOS晶体管M4、M5构成，NMOS晶体管M4的源极连接NMOS晶体管M1的漏极，NMOS晶体管M4的漏极连接NMOS晶体管M5的源极，NMOS晶体管M5的漏极连接天线；NMOS晶体管M1～M3的栅极分别串联电阻后接控制信号V_C1，NMOS晶体管M4、M5的栅极分别串联电阻后接控制信号V_C2，NMOS晶体管M1～M5的衬底端(Bulk)分别串联电阻后接偏置电压V_B；所述钳位电阻R一端接于NMOS晶体管M1的源极与NMOS晶体管M2的漏极之间，另一端接于NMOS晶体管M4的漏极与NMOS晶体管M5的源极之间；

所述接收通路中，所述并联两堆叠NMOS晶体管由NMOS晶体管M6、M7构成，NMOS晶体管M6的漏极连接收发机，NMOS晶体管M6的源极连接NMOS晶体管M7的漏极，NMOS晶体管M7的源极接地；所述串联三堆叠NMOS晶体管由NMOS晶体管M8～M10构成，NMOS晶体管M8的源极连接NMOS晶体管M6的漏极，NMOS晶体管M8的漏极连接NMOS晶体管M9的源极，NMOS晶体管M9的漏极连接NMOS晶体管M10的源极，NMOS晶体管M10的漏极连接天线；NMOS晶体管M6、M7的栅极分别串联电阻后接控制信号V_C2，NMOS晶体管M8～M10的栅极分别串联电阻后接控制信号V_C1，NMOS晶体管M6～M10的衬底端(Bulk)分别串联电阻后接偏置电压V_B；所述钳位电阻R一端接于NMOS晶体管M6的源极与NMOS晶体管M7的漏极之间，另一端接于NMOS晶体管M8的漏极与NMOS晶体管M9的源极之间。

3.按权利要求2所述采用新型钳位电阻的超宽带射频收发开关，其特征在于，所述超宽带射频收发开关中，所有NMOS晶体管结构相同、尺寸相同。

4.按权利要求2所述采用新型钳位电阻的超宽带射频收发开关，其特征在于，所述超宽带射频收发开关中，所述钳位电阻R、所有串联于NMOS晶体管的栅极的电阻、所有串联于NMOS晶体管的衬底端的电阻的阻值均相同。