[发明专利]一种低功耗的带隙基准电路

权利要求书

1.一种低功耗的带隙基准电路，包括带隙核心模块，所述带隙核心模块被配置于产生正温度系数电压和负温度系数电压，其特征在于，还包括电源输入端、启动模块和运算放大器模块；所述电源输入端分别与所述带隙核心模块、启动模块和运算放大器模块电连接，所述启动模块被配置于向所述带隙核心模块的启动开关的控制端输入启动信号，所述启动模块包括触发单元、第一控制开关单元、第二控制开关单元和第三控制开关单元，所述电源输入端、第一控制开关单元和第二控制开关单元依次串联，所述第二控制开关单元的输出端接地，所述运算放大器模块的输出端与所述触发单元电连接，所述触发单元在所述运算放大器模块的输出电压的幅值小于关断阈值时驱动所述第一控制开关单元导通、驱动所述第二控制开关单元断开，所述触发单元在所述运算放大器模块的输出电压的幅值大于等于关断阈值时驱动所述第一控制开关单元断开、驱动所述第二控制开关单元导通，所述第一控制开关单元和第二控制开关单元的连接点与所述第三控制开关单元的控制端电连接，所述第三控制开关单元在所述第一控制开关单元导通时导通，在所述第一控制开关单元断开时关断，所述第三控制开关单元的输入端接地，所述第三控制开关单元的输出端与所述带隙核心模块的启动开关的控制端电连接；所述带隙核心模块接收到所述启动信号后产生的正温度系数电压和负温度系数电压分别输入到所述运算放大器模块，所述运算放大器模块的输出电压分别输入到所述启动模块和所述带隙核心模块的启动开关的控制端，所述启动模块在所述运算放大器模块的输出电压大于等于关断阈值时，所述启动模块停止向所述带隙核心模块的启动端输入启动信号。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗的带隙基准电路，其特征在于，所述触发单元包括NMOS管MN11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、PMOS管MP15和电阻R5；所述第一控制开关单元包括PMOS管MP16、PMOS管MP17、PMOS管MP18和PMOS管MP19；所述第二控制开关单元包括NMOS管MN10；所述第三控制开关单元包括NMOS管MN9；

PMOS管MP12的源极与所述电源输入端电连接，PMOS管MP12的栅极分别和PMOS管MP13的栅极、电阻R5一端和带隙核心模块的启动开关的控制端电连接，所述电阻R5一端与所述PMOS管MP15的源极和漏极电连接，所述PMOS管MP15的栅极分别与PMOS管MP13的源极和所述带隙核心模块的启动开关的输出端电连接，所述PMOS管MP13的漏极分别与PMOS管MP12的漏极、PMOS管MP16的栅极、PMOS管MP17的栅极、PMOS管MP18的栅极、PMOS管MP19的栅极、NMOS管MN11的漏极和源极、NMOS管MN10的栅极电连接，NMOS管MN11的栅极接地；

PMOS管MP16的源极与所述电源输入端电连接，PMOS管MP16的漏极与PMOS管MP17的源极电连接，PMOS管MP17的漏极与PMOS管MP18的源极电连接，PMOS管MP18的漏极与PMOS管MP19的源极电连接，PMOS管MP18的漏极与PMOS管MP19的源极电连接，PMOS管MP19的漏极分别与NMOS管MN9的栅极、NMOS管MN10的漏极电连接，NMOS管MN10的源极接地，NMOS管MN9的漏极分别与PMOS管MP12的栅极和所述带隙核心模块的启动开关的控制端电连接，NMOS管MN9的源极接地。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙核心模块包括双极晶体管Q1、双极晶体管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和PMOS管MP14，PMOS管MP14的源极和所述电源输入端电连接，PMOS管MP14的栅极分别与PMOS管MP12的栅极和运算放大器模块的输出端电连接，PMOS管MP14的漏极分别与电阻R4一端和PMOS管MP13的源极电连接，电阻R4另一端分别与电阻R2一端和电阻R3一端电连接，电阻R2另一端分别与电阻R1一端和运算放大器模块的第一输入端电连接，电阻R1另一端与双极晶体管Q1的发射极电连接，P型双极晶体管Q1的基极和集电极均接地，电阻R3另一端分别与P型双极晶体管Q2的发射极和运算放大器模块的第二输入端电连接，P型双极晶体管Q2的基极和集电极均接地。