[发明专利]一种强度线型双响应的柔性应变传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110997210.2 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113720254B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 孙静;唐昊;王冉冉 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: G01B7/16 分类号: G01B7/16
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 线型 双响 柔性 应变 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,包括:

敏感材料,所述敏感材料为单层或少层MXene纳米片在有机溶剂中两级堆叠形成的导电薄膜;所述有机溶剂和单层或少层MXene纳米片不亲和;所述有机溶剂的Hansen溶度参数中色散分量占比超过51%;所述两级堆叠包括:首先单层或少层MXene纳米片堆叠形成层状结构,且层状结构呈现出弯曲、卷曲或折叠的状态,并沿着各个方向随机堆叠排布,得到MXene导电薄膜;

柔性衬底,所述柔性衬底用于负载所述敏感材料;

电极,所述电极位于敏感材料的两端;

以及封装层,所述封装层用于保护所述敏感材料;

所述强度线型双响应的柔性应变传感器在不同应变,展现出强度与线型的双重响应。

2.根据权利要求1所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述单层或少层MXene纳米片的化学式为Mn+1Xn,n = 1、2、3、4,M 为过渡金属元素,X为碳或/和氮元素;所述单层或少层MXene纳米片的横向尺寸为50nm~4μm,片层厚度为1.5nm~80nm;所述单层或少层MXene纳米片由母相MAX材料刻蚀得到,且表面带有亲水性端基。

3.根据权利要求2所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述单层或少层MXene纳米片的横向尺寸为300~600nm,片层厚度为1.5~10nm;所述亲水性端基选自-F、-OH以及-O中至少一种。

4.根据权利要求1所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述有机溶剂选自甲苯、间二甲苯、正己烷、四氯化碳和环己烷中的至少一种。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述敏感材料的厚度为2μm以上。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述柔性衬底为柔弹性材料,模量的数量级在1kPa~10MPa量级之间。

7.根据权利要求6所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述柔性衬底为聚胺酯、聚丙烯酸酯、硅橡胶、聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、以及水凝胶材料中的一种。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述封装层为致密的弹性薄层,为柔弹性材料,模量的数量级在1kPa~10MPa量级之间。

9.根据权利要求8所述的强度线型双响应的柔性应变传感器,其特征在于,所述封装层为聚胺酯、聚丙烯酸酯、硅橡胶、聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、以及水凝胶材料中的一种。

10.一种制备权利要求1-9中任一项所述的强度线型双响应的柔性应变传感器的方法,其特征在于,包括:

(1)将多层Mn+1Xn粉末和去离子水按照(0.3~1)g:(40~100)ml的比例混合,在惰性气氛下、冰水浴中超声处理和二次离心处理后取上清液得到单层或少层的MXene纳米片;

(2)将单层或少层的MXene纳米片重新分散到有机溶剂中,得到MXene油墨;

(3)将MXene油墨通过真空抽滤、旋涂、滴涂或喷涂,制备MXene导电薄膜作为敏感材料;

(4)将所得MXene导电薄膜转移至预聚合的柔性衬底表面后,将预聚合的柔性衬底完全固化;

(5)在敏感材料的两端引出电极;

(6)最后涂布封装层对敏感材料进行保护。

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