[发明专利]一种高模式数量且弱耦合的少模光纤

权利要求书

1.一种高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：其包括由内到外依次设置的椭圆芯层(1)、椭圆环形芯层(2)、椭圆环形下陷包层(3)和外包层(4)，所述椭圆芯层(1)掺有锗；

在所述椭圆环形下陷包层(3)上设有两个空气孔(5)，两个所述空气孔(5)关于所述椭圆环形芯层(2)的短轴轴对称；

在所述椭圆芯层(1)、椭圆环形芯层(2)和椭圆环形下陷包层(3)中，三者的中心大致重合，三者的长轴位于同一直线上，三者的短轴位于同一直线上；

所述椭圆芯层(1)与所述椭圆环形芯层(2)的折射率剖面的形状均为水平直线形；

所述椭圆芯层(1)的折射率小于所述椭圆环形芯层(2)的折射率。

2.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述椭圆环形芯层(2)掺有锗，所述椭圆环形下陷包层(3)掺有氟，所述外包层(4)采用纯石英。

3.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：两个所述空气孔(5)位于所述椭圆环形芯层(2)的长轴所在直线上。

4.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述椭圆芯层(1)、所述椭圆环形芯层(2)和所述椭圆环形下陷包层(3)的椭圆率取值范围为0.60～0.70。

5.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述椭圆芯层(1)的长轴半径取值范围为1.5～4.0μm，所述椭圆环形芯层(2)的长轴半径取值范围为5.0～8.5μm，所述椭圆环形下陷包层(3)的长轴半径取值范围为12.0～17.0μm。

6.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述空气孔(5)的半径取值范围为1.1～1.6μm。

7.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述空气孔(5)与所述椭圆环形芯层(2)的外边缘的距离取值范围为5～30μm。

8.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述椭圆芯层(1)与纯石英的相对折射率差的取值范围为0.80％～1.65％，所述椭圆环形芯层(2)与纯石英的相对折射率差的取值范围为1.60％～2.20％。

9.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：所述椭圆环形下陷包层(3)与纯石英的相对折射率差的取值范围为-0.30％～-0.65％。

10.如权利要求1所述的高模式数量且弱耦合的少模光纤，其特征在于：工作波长为1550nm时，所述少模光纤可用的最大传输模式数量为16模，且所有模式的光信号在1550nm的传输损耗均不大于0.25dB/km。