[发明专利]一种氧化铝/钛硅碳层状复合材料及其原位制备方法在审
申请号: | 202110986447.0 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113582673A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 陈莹莹;王志;史国普;李庆刚;吴俊彦 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/515;C04B35/622;C04B35/645;B28B1/29;B28B3/00;B28B11/24 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化铝 钛硅碳 层状 复合材料 及其 原位 制备 方法 | ||
1.一种氧化铝/钛硅碳层状复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a. 制备氧化铝流延片和钛硅碳流延薄片
将氧化铝或钛硅碳的原料粉和磷酸三乙酯、聚乙烯醇缩丁醛、邻苯二甲酸二辛酯按质量比28-44:2.4-3.6:3-6:2.4-4.8,水浴下混合;球磨形成均匀稳定的流延浆料;除泡,制备流延薄片;
b.制备坯体
将步骤a制备的流延薄片,裁剪后交替叠层,真空热压成型;
c. 真空烧结
将步骤b的坯体在真空烧结得到氧化铝/钛硅碳层状复合陶瓷材料;
所述的钛硅碳的原料粉是钛粉、碳化硅粉、碳粉和铝粉摩尔比为3:1.1:0.9:0.2原位合成。
2.根据权利要求1所述的氧化铝/钛硅碳层状复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤c真空烧结的条件为:真空气氛、1450-1600℃烧结温度、5℃/min升温速率、30 MPa烧结压力、90 min保温保压时间。
3.根据权利要求1所述的氧化铝/钛硅碳层状复合材料的制备方法,其特征在于,所述的氧化铝或钛硅碳的原料粉同磷酸三乙酯、聚乙烯醇缩丁醛、邻苯二甲酸二辛酯、无水乙醇质量比为40:50.6:2:4:3.2。
4.根据权利要求1所述的高纯氧化铝/钛硅碳层状陶瓷的制备方法,其特征在于,所述层状氧化铝层厚度为90-140 μm;钛硅碳层厚度为65-95 μm。
5.采用权利要求1-4 任一项所述的制备方法制备的氧化铝/钛硅碳层状复合材料。
6.根据权利要求5所述的氧化铝/钛硅碳层状复合材料,其特征在于,所述的复合材料制备得到的陶瓷。
7.根据权利要求6所述的氧化铝/钛硅碳层状复合材料,其特征在于,该陶瓷的强度为412-508MPa,断裂韧性为 4.3-7.3 MPa·m1/2,密度为3.21-3.97 g/cm3,气孔率为1.32%-1.93%。
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