[发明专利]声表面波谐振器、其制造方法和无线电电路

说明书

在根据一种实施方式的声表面波谐振器中，石英晶体基片包括AT切0°X传播第一石英晶体基片和接合在第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片。声表面波在第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。

技术领域

本发明涉及一种声表面波谐振器、其制造方法以及无线电电路。

背景技术

随着诸如移动电话的移动通信设备的发展，存在提高声表面波(SAW：SurfaceAcoustic Wave)滤波器性能的要求。在构成这种SAW滤波器的一部分的声表面波谐振器中，要求例如通过提高机电耦合系数K²来扩宽带宽，以及降低频率温度系数(TCF：TemperatureCoefficient of Frequency)的绝对值。如在未审查的日本专利申请公开号2018-026695、2019-004308和2019-145920中所披露的，本申请的发明人在过去已经开发了压电晶体基片被接合在石英晶体基片上的声表面波谐振器。

发明内容

本申请的发明人在具有石英晶体基片的声表面波谐振器的开发中发现了各种问题。从本说明书的描述和附图中，要解决的其他问题和新的特征将得以阐明。

在根据一种实施方式的声表面波谐振器中，石英晶体基片包括AT切0°X传播第一石英晶体基片和接合在第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片。声表面波在第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或147至153°，并且第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2至1.0倍。

根据该实施方式，能够提供一种优异的声表面波谐振器。

从下文给出的详细描述和仅以说明方式给出的附图中，本公开内容的上述目的和其他目的、以及其特征和优点将得以更充分地被理解，并且，因此这些内容不应被认为是限制本公开内容。

附图说明

图1是示出使用根据第一实施方式的声表面波谐振器的无线电电路的构造的示例的框图；

图2是示出根据第一实施方式的声表面波谐振器的构造的示例的透视图；

图3是示出机电耦合系数K²相对于声表面波在接合到AT切0°X传播石英晶体基片QS1的Z切石英晶体基片QS2中的传播角的变化的曲线图；

图4是示出声表面波的机电耦合系数K²相对于接合到AT切0°X传播石英晶体基片QS1的Z切石英晶体基片QS2的归一化板厚度的变化的曲线图；

图5是示出声表面波的相速度相对于接合到AT切0°X传播石英晶体基片QS1的Z切石英晶体基片QS2的归一化板厚度的变化的曲线图；

图6是示出对根据第一实施方式的声表面波谐振器的仿真的谐振特性分析的结果的曲线图；

图7是示出声表面波的频率温度系数(TCF)相对于接合到AT切0°X传播石英晶体基片QS1的Z切30°X传播石英晶体基片QS2的归一化板厚度的变化的曲线图；

图8是示出根据第二实施方式的声表面波谐振器的构造的示例的透视图；

图9是示出声表面波的TCF相对于接合到石英晶体基片QS的LN基片LNS的归一化板厚度的变化的曲线图；

图10是示出声表面波的机电耦合系数K²相对于接合到石英晶体基片QS的LN基片LNS的归一化板厚度的变化的曲线图；

图11是示出声表面波的相速度相对于接合到石英晶体基片QS的LN基片LNS的归一化板厚度的变化的曲线图；以及

图12是示出根据第三实施方式的声表面波谐振器的构造的示例的局部剖视图。