[发明专利]确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质

说明书

根据本公开的示例实施例，提供了确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质。确定掩模扰动信号的方法包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域将在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。本公开的实施例能够快速确定掩模扰动信号，进而能够确定用于掩模移动的方向和移动量，以得到高质量的掩掩模。

技术领域

本公开的实施例主要涉及半导体制造技术领域，并且更具体地，涉及确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质。

背景技术

在光刻成像过程中，光波穿过掩模图形时会发生衍射与干涉，晶圆上实际的光强分布是衍射光波叠加的结果，同时由于光学系统的不完善性，光刻胶表面成像与掩模图像并不完全相同。在特征尺寸远小于曝光波长的情况下，晶圆表面成像相对于原始版图出现边角圆化、线端缩进、线宽偏差等严重失真。这种由于光的衍射干涉引起的掩模图形和晶圆表面实际印刷图形之间的图形转移失真现象，被称为光学邻近效应。针对该效应，需要对掩模上的图形做光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)。通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。

发明内容

根据本公开的示例实施例，提供了一种用于确定掩模扰动信号的方案。

在本公开的第一方面，提供一种确定掩模扰动信号方法。该方法包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器以及与处理器耦合的存储器，存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使设备执行动作。该动作包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。

在一些实施例中，确定与增大后的子区域对应的图像强度值包括：确定子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值，核函数在光刻模型中用于模拟光刻行为；以及将卷积值确定为图像强度值。

在一些实施例中，核函数包括多个线性函数，并且确定子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值包括：分别确定子区域的尺寸与多个线性函数的分量卷积值；以及将分别确定的分量卷积值之和确定为卷积值。

在一些实施例中，多次增大掩模上第一区域内的子区域包括：自第一区域内选定的原点，以第一步长递增子区域在第一方向上的第一尺寸；以及自原点，以第二步长递增子区域在第二方向上的第二尺寸，第二方向与第一方向垂直。

在一些实施例中，动作还包括：确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号包括：从多次增大的子区域中确定与第二区域的边界处的多个点分别对应的多个子区域；以及基于分别与多个子区域对应的图像强度值，确定扰动信号。

在一些实施例中，多个点包括边界处的至少一个顶点。

在一些实施例中，第二区域为多边形，并且至少一个顶点包括第二区域的所有顶点。

在一些实施例中，其中基于分别与多个子区域对应的图像强度值确定扰动信号包括：对分别与多个子区域对应的图像强度值进行线性运算；以及将线性运算的结果确定为扰动信号。