[发明专利]一种SF6 在审
申请号: | 202110976506.6 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113687222A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 刘亚魁;李红运;胡耀增;张强;王龙;林天然 | 申请(专利权)人: | 青岛理工大学 |
主分类号: | G01R31/327 | 分类号: | G01R31/327;G01R27/08 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 祖之强 |
地址: | 266034 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sf base sub | ||
本公开提供了一种SF6断路器弧触头状态评估方法及系统,获取SF6断路器的运行状态数据;根据获取的运行状态数据,提取触头状态辨识特征值;根据得到的状态辨识特征值以及预设随机森林算法,得到SF6断路器弧触头的状态;本公开采用随机森林算法对触头状态进行辨识,在小样本的情境下具有较好的鲁棒性、分类效果和回归效果,极大的提高了SF6断路器弧触头状态评估的准确性。
技术领域
本公开涉及断路器状态评估技术领域,特别涉及一种SF6断路器弧触头状态评估方法及系统。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的背景技术,并不必然构成现有技术。
SF6气体因其优良的灭弧性能,所以普遍应用在高压开断领域。SF6高压断路器在电力系统中承担着控制和保护的作用。触头是断路器的重要组成部件,在灭弧室内部被SF6气体包围,现有技术手段很难直接识别其健康状态。近些年,动态接触电阻测量法(DynamicResistance Measurement,DRM)受到了广泛的关注。该方法可以在不拆卸灭弧室的情况下,注入适当的直流电流,采用四线法测量断路器分闸过程中内部动、静触头之间的接触电阻,通过采集到的电阻数据和行程数据建立动态回路电阻—行程曲线。然后,综合分析电阻的变化趋势即可实现触头状态的辨识。
触头在工作中容易受到烧蚀、金属疲劳、应力松弛、弧后磨损等缺陷的影响,进而影响到触头的工作状态,严重故障甚至使得触头不能成功断开电弧,危害系统安全。因此,掌握触头的健康状态,对于保证供电可靠性有重要意义。
发明人发现,现有的SF6断路器弧触头大多采用以神经网络为代表的深度学习算法对烧蚀状态进行辨识,忽略了金属疲劳、应力松弛、磨损等机械缺陷,此外深度学习算法都需要进行降维操作,且不能实现小样本下的状态识别。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本公开提供了一种SF6断路器弧触头状态评估方法及系统,采用随机森林算法对触头状态进行辨识,在小样本的情境下具有较好的鲁棒性、分类效果和回归效果,极大的提高了SF6断路器弧触头状态评估的准确性。
为了实现上述目的,本公开采用如下技术方案:
本公开第一方面提供了一种SF6断路器弧触头状态评估方法。
一种SF6断路器弧触头状态评估方法,包括以下过程:
获取SF6断路器的运行状态数据;
根据获取的运行状态数据,提取触头状态辨识特征值;
根据得到的状态辨识特征值以及预设随机森林算法,得到SF6断路器弧触头的状态。
本公开第二方面提供了一种SF6断路器弧触头状态评估系统。
一种SF6断路器弧触头状态评估系统,包括:
数据获取模块,被配置为:获取SF6断路器的运行状态数据;
特征提取模块,被配置为:根据获取的运行状态数据,提取触头状态辨识特征值;
状态评估模块,被配置为:根据得到的状态辨识特征值以及预设随机森林算法,得到SF6断路器弧触头的状态。
本公开第三方面提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有程序,该程序被处理器执行时实现如本公开第一方面所述的SF6断路器弧触头状态评估方法中的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛理工大学,未经青岛理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110976506.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法