[发明专利]清理离子布植机内部氟化表面的方法及装置

权利要求书

1.一种清理离子布植机内部氟化表面的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在离子布植机内部提供含硼离子束的离子束来源，其中，所述含硼离子束包括硼离子束及二氟化硼离子束；

将所述含硼离子束自所述离子束来源传送到具有氟化表面的内部元件，藉以使得所述含硼离子束被引导到所述氟化表面，以在每次使用含氟离子束进行离子布植后，便使用所述硼离子束进行一次清理；以及

在每使用所述硼离子束进行数次清理后，便使用所述二氟化硼离子束进行一次清理，然后再恢复交替进行使用所述含氟离子束的离子布植以及使用所述硼离子束的清理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

调整自所述离子束来源所输出的所述含硼离子束的轨迹与轮廓，藉以增加将形成在具有氟化表面的所述内部元件上的氟化材料彻底地移除的机率。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述调整自所述离子束来源所输出的所述含硼离子束的轨迹与轮廓的步骤包括：

增大所述含硼离子束的尺寸，以调整自所述离子束来源所输出的所述含硼离子束的轮廓；和/或

摆动所述含硼离子束，以调整自所述离子束来源所输出的所述含硼离子束的轮廓。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼离子束的能量介于1Kev到40Kev之间并且电流为5微安培，将所述内部元件的温度加热到摄氏250度到摄氏300度以进行所述清理。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟离子束为能量不大于1Kev的氟离子束，所述硼离子束的能量介于1Kev到40Kev间，所述二氟化硼离子束的能量介于1KeV到40Kev之间，并且使用所述二氟化硼离子束的单次清理时间长于使用所述硼离子束时的单次清理时间。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在提供所述含硼离子束的离子束来源的同时提供温度调节装置，所述温度调节装置对应到所述具有氟化表面的内部元件；以及

使用所述温度调节装置来调节所述内部元件的温度，藉以加速氟化材料与所述含硼离子束彼此间的反应速率。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使用所述温度调节装置来调节所述内部元件的温度的步骤包括至少下列之一：

使用接触式加热、非接触式加热、接触式冷却与非接触式冷却中的至少一个来调节所述内部元件的温度；

导引电流通过所述内部元件来调节所述内部元件的温度；以及

让所述内部元件直接辐射冷却来调节所述内部元件的温度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述使用接触式加热、非接触式加热、接触式冷却与非接触式冷却中的至少一个来调节所述内部元件的温度的步骤包括至少下列之一：

使用与所述内部元件直接接触的电热器来调节所述内部元件的温度；

让加热流体直接流经所述内部元件来调节所述内部元件的温度；

让冷却流体直接流经所述内部元件来调节所述内部元件的温度；

使用红外线灯、紫外线灯、可见光灯、热电丝、激光与能够发出电磁辐射的光源的至少一者来调节所述内部元件的温度；

让所述内部元件与已冷却的硬件相互接触来调节所述内部元件的温度；

让所述内部元件邻近于冷拟板来调节所述内部元件的温度；

使用石墨加热器来调节所述内部元件的温度，其中，支架被用来阻绝来自所述石墨加热器的热，并且通孔被用来提供真空环境与大气环境之间导热管与电缆线的桥接；

使用由嵌入到二片石墨板之间的在电流流经时产生热量的金属片来调节所述内部元件的温度；

使用位于反应室外部的加热器来调节所述内部元件的温度；以及

使用位于反应室外部的加热光源总成来调节所述内部元件的温度，其中，所述加热光源总成面对所述内部元件的一面存在有多个光源，窗户总成被嵌入在反应室腔壁并直接面对加热光源总成部分，藉以使得所述光源所发射出的电磁辐射能够通过窗户总成而抵达位于所述反应室内部的所述内部元件，进而调节所述内部元件的温度。