[发明专利]屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法及设备

权利要求书

1.一种屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

采样获得屏蔽盒通风孔上的切向电场数据；

建立填充有理想电导体的屏蔽盒模型，在采样点上放置磁赫兹偶极子，仿真提取对应的数值格林函数；

基于所述数值格林函数及所述切向电场数据获取包围屏蔽盒的第一半径球面上的磁场；

基于所述第一半径球面上的磁场，利用近远场变换获取待测点的电场，待测点所在球面的第二半径大于第一半径，即待测点在第一半径球面之外；

基于所述待测点的电场判断屏蔽盒中电子系统寄生辐射情况。

2.根据权利要求1所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，通过扫描采样方式获得屏蔽盒通风孔上的切向电场数据。

3.根据权利要求1所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，所述仿真提取对应的数值格林函数具体为：

将屏蔽盒填充理想电导体，在每个采样点上分别放置沿和方向的两个磁赫兹偶极子，磁矩为1，提取它们各自在半径为所述第一半径的球面S₀上产生的磁场，将在第i个采样点的沿和方向的两个磁赫兹偶极子在S₀上产生的磁场分别记为和

数值格林函数表示为：

其中，和分别是第i个采样点对应的数值格林函数的和分量。

4.根据权利要求3所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，获取所述磁赫兹偶极子在S₀上产生的磁场时，每次仅在屏蔽盒表面放置一个磁赫兹偶极子。

5.根据权利要求3所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，所述包围屏蔽盒的第一半径球面上的磁场表示为：

其中，和分别是在第i个采样点处得到的切向电场沿和方向的等效磁流，和分别是沿和方向的采样精度。

6.根据权利要求1所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，所述第一半径为R～1.1R，其中，R为屏蔽盒的外接球半径。

7.根据权利要求1所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，通过FEKO软件仿真提取所述数值格林函数。

8.根据权利要求1或3所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，所述磁赫兹偶极子为无穷小磁赫兹偶极子。

9.根据权利要求1所述的屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法，其特征在于，所述近远场变换基于对并矢格林函数的球面波展开。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

一个或多个处理器；

存储器；和

被存储在存储器中的一个或多个程序，所述一个或多个程序包括用于执行如权利要求1-9任一所述屏蔽盒内电子系统寄生电磁辐射快速检测方法的指令。