[发明专利]一种用于智能家居的光电检测芯片及方法

权利要求书

1.一种用于智能家居的光电检测芯片，其特征在于，所述智能家居包括光电传感器、与所述光电传感器连接的放大电路、与所述放大电路连接的控制芯片、与所述控制芯片连接的终端设备、以及连接所述控制芯片的光电检测芯片，所述控制芯片接收到所述光电传感器在外部光强变化时传输的第一电信号，且接收到所述光电检测芯片发送的第二电信号，所述控制芯片将所述第二电信号与所述第一电信号进行对比得出外部光强的变化值，所述控制芯片根据所述变化值以控制所述终端设备的运行状态，其中，所述光电检测芯片包括：

衬底；

光电二极管组，形成在所述衬底内，所述光电二极管组包括多个并联的光电二极管，所述光电二极管为自第一导电类型的第一区至第二导电类型的第二区呈叉指状，所述第一区靠近所述第二区的一侧设置有第一氧化层，所述光电二极管组外围设置有闭合的第二氧化层；

电阻模块，形成在所述衬底内并通过金属引线与所述光电二极管组连接，所述电阻模块包括串联的至少三个多晶硅电阻。

2.根据权利要求1所述的用于智能家居的光电检测芯片，其特征在于，所述控制芯片包括至少六个端口，所述多晶硅电阻依次并联连接每两个所述端口。

3.根据权利要求1所述的用于智能家居的光电检测芯片，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

4.根据权利要求1所述的用于智能家居的光电检测芯片，其特征在于，三个多晶硅电阻的阻值沿所述第一区至所述第二区的方向依次增大。

5.根据权利要求1所述的用于智能家居的光电检测芯片，其特征在于，当外部光强变化时，通过所述光电二极管组的电流发生变化使所述多晶硅电阻两侧的压降变化，所述控制芯片检测每一个多晶硅电阻的压降并将所述压降与每个多晶硅电阻的预设压降进行对比，以确定所述光电二极管组的感光数据。

6.一种根据权利要求1-5任一项所述的用于智能家居的光电检测芯片的光电检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

外部光强变化时，光电传感器根据光强变化转化为电流信号，放大电路将所述电流信号放大并发送至控制芯片，以得到第一电信号；

光电二极管组接收到外部光强变化并在每个多晶硅电阻两侧产生压降，所述控制芯片通过端口检测到压降信号；

所述控制芯片根据每个所述多晶硅电阻的阻值并对比每个多晶硅电阻对应的压降信号，并根据所述压降信号判断光强变化产生的电流值变化是否稳定；

若是，将所述电流值确定为第二电信号；

所述控制芯片将所述第一电信号与所述第二电信号进行对比得出误差值，判定所述误差值未超过阈值时，得到外部光强变化对应的变化值，所述控制芯片根据所述第一电信号调整终端设备。

7.根据权利要求6所述的光电检测方法，其特征在于，所述第二电信号未经过任何电路且由所述控制芯片检测后直接输出的压降信号。

8.根据权利要求6所述的光电检测方法，其特征在于，当所述第一电信号和所述第二电信号分别计算出的光强变化在同一范围内时，以确定光强发生变化。