[发明专利]一种复合调控、连续相扫的相控阵天线

权利要求书

1.一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，包括有“一”字排列的四个天线阵元、四个模拟移相器（1-2）及一个一分四T型功分器（1-1）；其中，每个天线阵元均通过一个模拟移相器（1-2）与一分四T型功分器（1-1）的其中一个输出端连接，一分四T型功分器（1-1）的输入端与射频SMA接头相连接；

馈电网络（8）包括有八段微带线、PIN射频开关单元（7）、输出端口P2、输出端口P3、输出端口P4及输出端口P5，其中，PIN射频开关单元为十二个PIN射频开关；具体包括有第一微带线（81），第一微带线（81）的第一端为射频信号输入端口P1，第一微带线（81）第二端的左右两侧分别设置有第二微带线（82）及第三微带线（83），第二微带线（82）及第三微带线（83）的第一端与第一微带线（81）的第二端连接，两个连接处均蚀刻有缝隙，两个间隙处分别设置有第一PIN射频开关（71）及第二PIN射频开关（72）；第二微带线（82）及第三微带线（83）的第二端与第四微带线（84）相连接，两个连接处均蚀刻有缝隙，两个间隙处分别设置有第三PIN射频开关（73）及第四PIN射频开关（74）；第四微带线（84）首尾两端进行弯折后第四微带线（84）第一端的左右两侧分别设置有第五微带线（85）及第六微带线（86），两个连接处均蚀刻有缝隙，两个间隙处分别设置第六PIN射频开关（76）及第七PIN射频开关（77）；第四微带线（84）第二端的左右两侧分别设置有第七微带线（87）及第八微带线（88），两个连接处均蚀刻有缝隙，两个间隙处分别设置第十PIN射频开关（710）及第十一PIN射频开关（711）；第五微带线（85）的第二端与输出端口P2相连接，连接处均蚀刻有缝隙，该缝隙处设置有射频开关（75）；第六微带线（86）的第二端与输出端口P3相连接，连接处均蚀刻有缝隙，该缝隙处设置有射频开关（78）；第七微带线（87）的第二端口与输出端口P5相连接，连接处均蚀刻有缝隙，该缝隙处设置有射频开关（79）；第八微带线（88）的第二端口与输出端口P4相连接，连接处均蚀刻有缝隙，该缝隙处设置有射频开关（712）；输出端口P2、输出端口P3、输出端口P4及输出端口P5处均设置有金属探针（9），通过金属探针（9）与主辐射片（5）连接；第一微带线（81）的射频信号输入端口P1与一个模拟移相器（1-2）的输出端口连接。

2.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，所述天线阵元包括第一介质基板（1），第一介质基板（1）上表面印制有寄生辐射片（4）；第一介质基板（1）下方设置有第二介质基板（2），第二介质基板（2）与第一介质基板（1）之间间隔有空气层；第二介质基板（2）的上表面印制有主辐射片（5），第二介质基板（2）的下表面印制有金属地板（6）；金属地板（6）的下方设置有第三介质基板（3），第三介质基板（3）的下表面设置有馈电网络（8），馈电网络（8）与主辐射片（5）通过若干个金属探针（9）连接。

3.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，第一介质基板（1）采用相对介电常数为4.4、损耗角正切0.02，厚度为1mm的圆形介质材料；寄生辐射片（4）为与第一介质基板（1）的大小形状均相同的金属圆形片。

4.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，第二介质基板（2）采用相对介电常数为3.5、损耗角正切0.01，厚度为0.5mm的介质材料。

5.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，第三介质基板（3）采用相对介电常数为3.5、损耗角正切0.01，厚度为0.5mm的介质材料。

6.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，主辐射片（5）为金属圆环片。

7.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，第一介质基板（1）和第二介质基板（2）间的空气层厚度为4mm。

8.根据权利要求1所述的一种复合调控、连续相扫的相控阵天线，其特征在于，第一微带线（81）的特性阻抗为35.35欧姆，线宽为1.8mm，第二微带线（82）和第三微带线（83）的特性阻抗为25欧姆，线宽均为2.9 mm；第四微带线（84）、第五微带线（85）、第六微带线（86）、第七微带线（87）、第八微带线（88）的特性阻抗为50欧姆，线宽均为1.1mm。