[发明专利]图像传感器、图像生成方法及存储介质在审

专利信息
申请号: 202110947145.2 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN115714897A 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 杨宗保 申请(专利权)人: 北京小米移动软件有限公司
主分类号: H04N23/54 分类号: H04N23/54;H04N23/73;H04N23/741;H04N25/57;H04N25/77
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李志新;刘亚平
地址: 100085 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 图像 生成 方法 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

像素阵列,用于逐帧输出图像帧;

模数转换电路,用于将所述像素阵列当前输出图像帧中各像素产生的像素电压进行模数转换后输出像素值;

曝光时序控制电路,用于获取所述像素阵列的当前输出图像帧中各像素对应的像素值,并根据所述当前输出图像帧中各像素对应的像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述曝光时序控制电路包括:

像素扫描电路,从所述当前输出图像帧中各像素对应的像素值中,扫描出最大非饱和像素值;

曝光时间确定电路,基于所述最大非饱和像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间;

曝光时间反馈电路,用于将所述下一帧图像帧的曝光时间反馈至所述像素阵列。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述曝光时序控制电路包括:

像素电压探测电路,对所述像素阵列当前输出图像帧中各像素产生的像素电压进行探测,若存在像素的像素电压大于预设电压阈值,且所述像素电压大于预设电压阈值的像素数量大于像素数量阈值,则生成用于表征下一帧图像帧曝光时间调整的标识信号;

曝光时间反馈电路,用于在所述像素电压探测电路生成所述标识信号的情况下,将所述下一帧图像帧的曝光时间反馈至所述像素阵列。

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述像素电压探测电路包括:

阈值寄存器,用于存储预设电压阈值以及像素数量阈值;

模拟比较器,用于对所述像素阵列当前输出图像帧中各像素产生的像素电压与所述预设电压阈值进行比较,并统计所述像素电压大于所述预设电压阈值的像素数量,在所述像素电压大于预设电压阈值的像素数量大于像素数量阈值的情况下,生成用于表征下一帧图像帧曝光时间调整的标识信号。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

图像融合电路,将所述像素阵列逐帧输出的图像帧进行融合,得到融合后的预览原始图像帧。

6.一种图像生成方法,其特征在于,应用于图像传感器,所述图像生成方法包括:

获取所述图像传感器的像素阵列当前输出图像帧中各像素对应的像素值;

基于所述当前输出图像帧中各像素对应的像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间;

基于所述下一帧图像帧的曝光时间控制所述像素阵列生成下一帧图像帧。

7.根据权利要求6所述的图像生成方法,其特征在于,基于所述当前输出图像帧中各像素对应的像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间,包括:

从所述当前输出图像帧中各像素对应的像素值中,扫描出最大非饱和像素值;

基于所述最大非饱和像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间。

8.根据权利要求7所述的图像生成方法,其特征在于,基于所述最大非饱和像素值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间,包括:

确定所述像素阵列已输出图像帧中的最小曝光时间;

基于所述最大非饱和像素值的最高位和所述最小曝光时间的比值,确定用于调整下一帧图像帧曝光时间的调整倍数值;

基于所述调整下一帧图像帧曝光时间的调整倍数值,确定所述像素阵列输出下一帧图像帧的曝光时间。

9.根据权利要求7所述的图像生成方法,其特征在于,基于所述下一帧图像帧的曝光时间控制所述像素阵列生成下一帧图像帧之前,所述图像生成方法包括:

对所述像素阵列当前输出图像帧中各像素产生的像素电压进行探测,若存在像素的像素电压大于预设电压阈值,且所述像素电压大于预设电压阈值的像素数量大于像素数量阈值,则生成用于表征下一帧图像帧曝光时间调整的标识信号;

在生成所述标识信号的情况下,将所述下一帧图像帧的曝光时间反馈至所述像素阵列。

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