[发明专利]一种新型拓扑结构的温差热电器件在审
| 申请号： | 202110930007.3 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113644188A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐菊;余典儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 董领逊 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 拓扑 结构 温差 热电器件 | ||
1.一种新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，包括：两个绝缘基板、热电对、焊层以及导流片和或导流柱；所述电热对固定在两个所述绝缘基板中间，所述导流片和或导流柱固定在所述绝缘基板上，所述焊层设置在所述热电对的两端，用于连接所述热电对和所述导流片和或导流柱。
2.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，两个绝缘基板上均设有通孔，所述导流片和或导流柱穿过所述通孔与所述焊层连接。
3.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，两个所述绝缘基板中只有一个绝缘基板设有通孔。
4.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述热电对包括p型热电粒子、n型热电粒子和金属电极层，所述金属电极层设置在p型热电粒子和n型热电粒子表面，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排列在两个所述绝缘基板之间。
5.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述绝缘基板的材料为陶瓷材料或塑料材料，所述陶瓷材料包括：AlN、Al2O3和Si3N4。
6.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述绝缘基板的厚度为10um～1mm。
7.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述导流片和或导流柱的材料为Cu、Mo或Al。
8.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述导流片的厚度为0.1um～1mm。
9.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述导流片和或导流柱上涂覆有绝缘导热层。
10.根据权利要求1所述的新型拓扑结构的温差热电器件，其特征在于，所述导流片和或导流柱的表面镀有Ni、Co、Pd、Au、Ag、Sn的一种或多种金属的薄膜材料。
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